Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2021, том 91, выпуск 1, страницы 76–81
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18 (Mi jtf5102) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Твердотельная электроника

Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности

А. М. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (188 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18
Аннотация: Представлены результаты тестирования деградации светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Наблюдалось увеличение внешней квантовой эффективности выше исходной величины после пропускания тока 150–170 mА. Рассмотрены возможные физические процессы, приводящие к изменению квантовой эффективности и росту низкочастотного шума.
Ключевые слова: деградация светодиодов, возрастание квантовой эффективности, низкочастотный шум.
Поступила в редакцию: 28.12.2018
Исправленный вариант: 05.07.2018
Принята в печать: 20.07.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2021, Volume 66, Issue 1, Pages 71–76
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784221010114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Иванов, “Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности”, ЖТФ, 91:1 (2021), 76–81; Tech. Phys., 66:1 (2021), 71–76
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Iva21}
\by А.~М.~Иванов
\paper Низкочастотный шум в светодиодах на основе InGaN/GaN квантовых ям при электрических воздействиях, сопровождающихся возрастанием внешней квантовой эффективности
\jour ЖТФ
\yr 2021
\vol 91
\issue 1
\pages 76--81
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5102}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2021.01.50276.447-18}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44870291}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2021
\vol 66
\issue 1
\pages 71--76
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784221010114}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85101885064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5102
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v91/i1/p76
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024