|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведены измерения токовых зависимостей спектральной плотности токового шума и квантовой эффективности в зеленых и синих светодиодах с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что уровень шума сильно растет в области больших токов, при которых наблюдается падение квантовой эффективности. Механизм формирования токового шума связывается с прыжковым транспортом по состояниям центров окраски в GaN через $n$-барьер квантовой ямы InGaN/GaN. Источником шума является прыжковое сопротивление области пространственного заряда, ограничивающее ток термоактивированных электронов в квантовую яму. Падение эффективности и рост уровня шума связываются с изменением направления электрического поля вблизи квантовой ямы при высоких уровнях инжекции и увеличением туннельной утечки дырок из квантовой ямы. Показано, что экспериментальные частотные спектры токового шума, имеющие при рабочих токах вид лоренцевского спектра, связаны с частотой перескока между глубокими центрами вблизи квантовой ямы InGaN/GaN и максвелловской релаксацией в область пространственного заряда.
Поступила в редакцию: 29.05.2018 Исправленный вариант: 13.06.2018
Образец цитирования:
Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, Ю. Г. Шретер, “Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 104–110; Semiconductors, 53:1 (2019), 99–105
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5620 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p104
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 6 |
|