Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 22, страницы 1–8 (Mi pjtf6253)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN

Н. И. Бочкареваa, А. М. Ивановa, А. В. Клочковa, В. А. Таралаb, Ю. Г. Шретерa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
PDF полного текста (139 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Показано, что кратковременный джоулев разогрев активной области светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN до 125$^\circ$C при плотности тока 150 A/cm$^{2}$ стимулирует изменение энергетического спектра дефектных состояний в запрещенной зоне GaN и увеличение квантовой эффективности.
Поступила в редакцию: 19.04.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 11, Pages 1099–1102
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016110146
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. И. Бочкарева, А. М. Иванов, А. В. Клочков, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 1–8; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1099–1102
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BocIvaKlo16}
\by Н.~И.~Бочкарева, А.~М.~Иванов, А.~В.~Клочков, В.~А.~Тарала, Ю.~Г.~Шретер
\paper Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 22
\pages 1--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6253}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368361}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 11
\pages 1099--1102
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016110146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6253
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i22/p1
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:19
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024