|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, С. С. Гусейнова, В. Ф. Лукичев, Д. Б. Тагиев, “Ab initio моделирование влияния расположения и свойств упорядоченных вакансий на магнитное состояние монослоя графена”, Физика твердого тела, 63:5 (2021), 680–689   ; M. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, S. S. Guseinova, V. F. Lukichev, D. B. Tagiev, “Ab initio modeling of the effect of the position and properties of ordered vacancies on the magnetic state of a graphene monolayer”, Phys. Solid State, 63:5 (2021), 670–679 |
8
|
|
2020 |
| 2. |
М. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, С. С. Гусейнова, В. Ф. Лукичев, “Ab initio расчеты электронных свойств и явления переноса в графеновых материалах”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1975–1981 |
4
|
| 3. |
С. Н. Мустафаева, К. М. Гусейнова, М. М. Асадов, “Релаксация тока в монокристаллах TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.01; 0.03)”, Физика твердого тела, 62:7 (2020), 1022–1027 ; S. N. Mustafaeva, K. M. Guseinova, M. M. Asadov, “Current relaxation in TlGa$_{1-x}$Dy$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.01; 0.03) single crystals”, Phys. Solid State, 62:7 (2020), 1150–1155 |
|
2019 |
| 4. |
С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, “Влияние химического состава кристаллов TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2030–2035 ; S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, “Effect of the chemical composition of TlIn$_{1-x}$Er$_{x}$S$_{2}$ (0 $\le x\le$ 0.01) crystals on their dielectric characteristics and the parameters of localized states”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1999–2004 |
1
|
|
2018 |
| 5. |
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, “Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 495–498 ; S. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, “Dielectric losses and charge transfer in antimony-doped TlGaS$_{2}$ single crystal”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 499–503 |
4
|
| 6. |
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, Д. Т. Гусейнов, К. И. Келбалиев, “Зависимость рентгенодозиметрических характеристик монокристаллов AgGaS$_{2x}$Se$_{2-2x}$ от состава”, ЖТФ, 88:4 (2018), 561–565 ; S. M. Asadov, S. N. Mustafaeva, D. T. Guseinov, K. I. Kelbaliev, “Dependence of the X-ray dosimetric parameters of AgGaS$_{2x}$Se$_{2-2x}$ single crystals on their composition”, Tech. Phys., 63:4 (2018), 546–550 |
6
|
| 7. |
С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, Э. М. Керимова, “Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 167–170 ; S. N. Mustafaeva, S. M. Asadov, E. M. Kerimova, “Dielectric properties and conductivity of Ag-doped TlGaS$_{2}$ single crystals”, Semiconductors, 52:2 (2018), 156–159 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
В. Г. Гуртовой, А. У. Шелег, С. Н. Мустафаева, Э. М. Керимова, С. Г. Джафарова, “Электропроводность и диэлектрические характеристики твердых растворов Tl(GaS$_{2}$)$_{1-x}$(InSe$_{2}$)$_{x}$”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1479–1483 ; V. G. Hurtavy, A. U. Sheleg, S. N. Mustafaeva, E. M. Kerimova, S. G. Dzhafarova, “The electric conductivity and dielectric properties of Tl(GaS$_{2}$)$_{1-x}$(InSe$_{2}$)$_{x}$ solid solutions”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1501–1505 |
2
|
| 9. |
С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, “Перенос заряда и термо-ЭДС в соединении TlGdS$_{2}$”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1061–1065 ; S. N. Mustafaeva, S. M. Asadov, “Charge transfer and thermopower in TlGdS$_{2}$”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1077–1081 |
|
2016 |
| 10. |
С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, “Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1159–1162 ; S. N. Mustafaeva, S. M. Asadov, “Low-temperature conductivity of gadolinium sulfides”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1137–1140 |
2
|
|
1986 |
| 11. |
Г. Д. Гусейнов, Э. Ф. Багирзаде, Н. З. Гасанов, С. Н. Мустафаева, “Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием
монокристаллах TlGaSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1127–1129 |
|
Обратная связь: