Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 167–170
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45438.8517
(Mi phts5911)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$

С. Н. Мустафаеваa, С. М. Асадовb, Э. М. Керимоваa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку
Аннотация: Исследовано влияние ионов серебра (2 мол%) на диэлектрические свойства и электропроводность выращенных методом Бриджмена–Стокбаргера монокристаллов TlGaS$_{2}$. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS$_{2}\langle$2 мол% Ag$\rangle$ позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда, оценить плотность состояний вблизи уровня Ферми, их разброс, среднее время и среднюю длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе. Легирование монокристалла TlGaS$_{2}$ серебром приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и длины прыжков.
Поступила в редакцию: 17.01.2017
Принята в печать: 26.06.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 156–159
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, Э. М. Керимова, “Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 167–170; Semiconductors, 52:2 (2018), 156–159
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusAsaKer18}
\by С.~Н.~Мустафаева, С.~М.~Асадов, Э.~М.~Керимова
\paper Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 167--170
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5911}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45438.8517}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739656}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 156--159
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020094}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5911
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p167
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024