Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 9, страницы 1159–1162 (Mi phts6354)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния

С. Н. Мустафаеваa, С. М. Асадовb

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку
PDF полного текста (149 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: В образцах GdS$_{x}$ ($x$ = 1.475–2) различного состава исследованы температурные зависимости проводимости на постоянном токе в области низких температур (4.2–225 K). Установлено наличие активационного и безактивационного прыжковых механизмов переноса заряда по запрещенной зоне образцов фаз GdS$_{x}$. Определены параметры локализованных состояний в GdS$_{x}$.
Поступила в редакцию: 26.01.2016
Принята в печать: 04.02.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 9, Pages 1137–1140
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616090177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, “Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1159–1162; Semiconductors, 50:9 (2016), 1137–1140
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MusAsa16}
\by С.~Н.~Мустафаева, С.~М.~Асадов
\paper Низкотемпературная проводимость сульфидов гадолиния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1159--1162
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6354}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368980}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 9
\pages 1137--1140
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616090177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6354
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i9/p1159
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024