|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводники
Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS$_{2}$
С. М. Асадовa, С. Н. Мустафаеваb a Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Аннотация:
Изучено влияние полуметаллической сурьмы (0.5 mol.% Sb) на диэлектрические свойства и ас-проводимость выращенных методом Бриджмена–Стокбаргера монокристаллов на основе TlGaS$_{2}$. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристаллов TlGa$_{0.995}$Sb$_{0.005}$S$_{2}$ позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда и оценить параметры локализованных в запрещенной зоне состояний. Легирование монокристалла TlGaS$_{2}$ сурьмой приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и расстояния прыжков.
Поступила в редакцию: 19.09.2017 Исправленный вариант: 25.09.2017
Образец цитирования:
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, “Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 495–498; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 499–503
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9268 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i3/p495
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 12 |
|