|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. А. Панютин, Ш. Ш. Шарофидинов, Т. А. Орлова, С. А. Сныткина, А. А. Лебедев, “Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники”, ЖТФ, 90:3 (2020), 450–455   ; E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 |
4
|
| 2. |
Г. А. Гаврилов, К. Л. Муратиков, Е. А. Панютин, Г. Ю. Сотникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 20–23 ; G. A. Gavrilov, K. L. Muratikov, E. A. Panyutin, G. Yu. Sotnikova, Sh. Sh. Sharofidinov, “Specific features of the pyroelectric effect in epitaxial aluminum nitride layers obtained on Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 16–18 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Е. А. Панютин, М. Л. Шматов, “Возможности GaN/AlN/GaN-структур как пироэлектрических сенсоров высокоинтенсивного лазерного излучения”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1078–1082 [E. A. Panyutin, M. L. Shmatov, “Capabilities of GaN/AlN/GaN structures as high-intensity pyroelectric laser sensors”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1078–1082   ] |
1
|
|
2018 |
| 4. |
Г. А. Гаврилов, А. Ф. Капралов, К. Л. Муратиков, Е. А. Панютин, А. В. Сотников, Г. Ю. Сотникова, Ш. Ш. Шарофидинов, “Исследование пироэффекта в AlN-эпитаксиальных слоях”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 11–19 ; G. A. Gavrilov, A. F. Kapralov, K. L. Muratikov, E. A. Panyutin, A. V. Sotnikov, G. Yu. Sotnikova, Sh. Sh. Sharofidinov, “Studying the pyroelectric effect in AlN epilayers”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 709–712 |
11
|
|
Обратная связь: