Особенности пироэффекта в эпитаксиальных слоях нитрида алюминия, полученных на Si-подложках

Проведены исследования пироэффекта в квазиобъемных AlN-слоях с толщиной 10–170 $\mu$m, полученных по технологии хлоридно-гидридной газофазной эпитаксии на стандартных Si-подложках. Измерение пироэлектрического тока осуществлялось методом теплового воздействия нестационарного (типа “меандр") лазерного излучения, что в совокупности с данными независимого бесконтактного измерения динамики поверхностной температуры активного слоя позволило определить значение пирокоэффициента АlN в составе биморфной AlN/Si-структуры для различной толщины AlN-слоев. Установлено, что эти значения в среднем меньше тех, которые соответствуют материалу, полученному по той же технологии, но на SiC-подложках, и для достижения значений пирокоэффициентов, сравнимых по величине, в случае "AlN на Si” требуется увеличение толщины слоев AlN на 50–60%. Вместе с тем при большой толщине AlN-слоя (110, 170 $\mu$m) после удаления кремниевой подложки значения пирокоэффициента возрастали и достигали величины $\sim$8.6–9.0 $\mu$C/(m$^{2}$ $\cdot$ K).