Возможности GaN/AlN/GaN-структур как пироэлектрических сенсоров высокоинтенсивного лазерного излучения

Предложено использование прозрачных Al₂O₃ /GaN/AlN/GaN-структур в качестве пирометрических сенсоров для измерения параметров высокоинтенсивных лазерных импульсов. Проанализированы особенности применения таких сенсоров в установках лазерного термоядерного синтеза. Получены постимпульсные распределения плотности поглощенной энергии для различных параметров обоих GaN-слоев. Проведена минимизация локальных максимумов этих распределений при варьировании отношения концентрации доноров и отношения их толщин при условии инвариантности полной поглощенной энергии. Установлена оптимальная конфигурация структуры с точки зрения уменьшения возможного негативного влияния лазерного воздействия на стабильность пирокоэффициента.