|
Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 11, страницы 1078–1082
(Mi qe17137)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Возможности GaN/AlN/GaN-структур как пироэлектрических сенсоров высокоинтенсивного лазерного излучения
Е. А. Панютин, М. Л. Шматов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург
Аннотация:
Предложено использование прозрачных Al2O3 /GaN/AlN/GaN-структур в качестве пирометрических сенсоров для измерения параметров высокоинтенсивных лазерных импульсов. Проанализированы особенности применения таких сенсоров в установках лазерного термоядерного синтеза. Получены постимпульсные распределения плотности поглощенной энергии для различных параметров обоих GaN-слоев. Проведена минимизация локальных максимумов этих распределений при варьировании отношения концентрации доноров и отношения их толщин при условии инвариантности полной поглощенной энергии. Установлена оптимальная конфигурация структуры с точки зрения уменьшения возможного негативного влияния лазерного воздействия на стабильность пирокоэффициента.
Ключевые слова:
лазерный термоядерный синтез, нитрид алюминия, пироэффект.
Поступила в редакцию: 25.11.2018 Исправленный вариант: 30.07.2019
Образец цитирования:
Е. А. Панютин, М. Л. Шматов, “Возможности GaN/AlN/GaN-структур как пироэлектрических сенсоров высокоинтенсивного лазерного излучения”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1078–1082 [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1078–1082]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17137 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i11/p1078
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 119 | PDF полного текста: | 30 | Список литературы: | 13 | Первая страница: | 8 |
|