|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800   ; A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
А. С. Тарасов, Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, О. Е. Терещенко, “Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799 ; A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 |
6
|
|
2003 |
| 3. |
И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором”, Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292 ; I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure”, JETP Letters, 78:12 (2003), 768–771  |
| 4. |
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187 ; I. Yu. Borodin, I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, A. B. Talochkin, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots”, JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155 |
1
|
|
Обратная связь: