|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, В. А. Козлов, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747   ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, V. A. Kozlov, S. V. Obolensky, “Modeling the response of a microwave low-barrier uncooled Mott diode to the action of heavy ions of outer space and femtosecond laser pulses”, Semiconductors, 55:10 (2021), 780–784 |
| 2. |
А. С. Пузанов, В. В. Бибикова, И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, Е. А. Тарасова, Н. В. Востоков, С. В. Оболенский, “Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54 ; A. S. Puzanov, V. V. Bibikova, I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, E. A. Tarasova, N. V. Vostokov, S. V. Obolensky, “Simulation of the response of a low-barrier Mott diode to the influence of heavy charged particles from outer space”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 305–308 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
А. Н. Резник, Н. В. Востоков, Н. К. Вдовичева, В. И. Шашкин, “Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1944–1950 ; A. N. Reznik, N. V. Vostokov, N. K. Vdovicheva, V. I. Shashkin, “Microwave volt–impedance spectroscopy of semiconductors”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1859–1865 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
Н. В. Востоков, В. М. Данильцев, С. А. Краев, В. Л. Крюков, Е. В. Скороходов, С. С. Стрельченко, В. И. Шашкин, “Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314 ; N. V. Vostokov, V. M. Daniltsev, S. A. Kraev, V. L. Kryukov, E. V. Skorokhodov, S. S. Strelchenko, V. I. Shashkin, “Vertical field-effect transistor with control $p$–$n$-junction based on GaAs”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1279–1281 |
| 5. |
П. В. Волков, Н. В. Востоков, А. В. Горюнов, Л. М. Кукин, В. В. Паршин, Е. А. Серов, В. И. Шашкин, “Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 56–58 ; P. V. Volkov, N. V. Vostokov, A. V. Goryunov, L. M. Kukin, V. Parshin, E. A. Serov, V. I. Shashkin, “Detectors based on low-barrier mott diodes and their characteristics in the 150–250 GHz range”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 239–241 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
С. А. Королев, Н. В. Востоков, Н. В. Дьяконова, В. И. Шашкин, “Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах”, ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753 ; S. Korolev, N. V. Vostokov, N. V. D'yakonova, V. I. Shashkin, “Influence of the channel–gate barrier height on the detection properties of a field-effect transistor in the microwave and terahertz ranges”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 765–772 |
1
|
|
2002 |
| 7. |
Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, А. Н. Яблонский, “Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками”, Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429 ; N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369  |
24
|
|
2001 |
| 8. |
А. М. Алексеев, Ю. К. Верёвкин, Н. В. Востоков, В. Н. Петряков, Н. И. Полушкин, А. Ф. Попков, Н. Н. Салащенко, “Наблюдение лазерно-индуцированных локальных модификаций магнитного порядка в слоях переходных металлов”, Письма в ЖЭТФ, 73:4 (2001), 214–219 ; A. M. Alekseev, Yu. K. Verevkin, N. V. Vostokov, V. N. Petryakov, N. I. Polushkin, A. F. Popkov, N. N. Salashchenko, “Observation of laser-induced local modification of magnetic order in transition metal layers”, JETP Letters, 73:4 (2001), 192–196 |
9
|
|
2000 |
| 9. |
В. И. Бредихин, Ю. К. Верёвкин, Э. Я. Дауме, С. П. Кузнецов, О. А. Мальшакова, В. Н. Петряков, Н. В. Востоков, Н. И. Полушкин, “Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCl-лазера”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 333–336 [V. I. Bredikhin, Yu. K. Verevkin, È. Ya. Daume, S. P. Kuznetsov, O. A. Malshakova, V. N. Petryakov, N. V. Vostokov, N. I. Polushkin, “Coherent effect of four XeCl laser beams on a surface”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 333–336  ] |
10
|
|
Обратная связь: