Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCl-лазера

Исследовано влияние геометрии сведения четырех пучков когерентного излучения XeCl-лазера на модификацию тонких пленок. Показано, что, изменяя положение биссектрисы угла между пучками по отношению к образцу, можно создавать двумерные структуры с изменяющимися в пространстве параметрами. Определены условия создания совершенных двумерных субмикронных структур на тонких металлических пленках. Отношение размера модифицированной (удаленной) области к периоду структуры в типичных экспериментальных условиях составило ∼0.25. Показано, что субмикронные особенности модифицированной области существенно зависят от длительности и энергии лазерных импульсов.