|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
О. Р. Абдуллаев, А. В. Алуев, Ю. Л. Ахмеров, Н. В. Коурова, М. В. Меженный, А. А. Чельный, “Источник белого света с лазерным возбуждением люминофора”, Квантовая электроника, 47:10 (2017), 927–931   [O. R. Abdullaev, A. V. Aluev, Yu. L. Akhmerov, N. V. Kourova, M. V. Mezhennyi, A. A. Chel'nyi, “White light source with laser-excited phosphor”, Quantum Electron., 47:10 (2017), 927–931   ] |
3
|
|
2004 |
| 2. |
А. А. Чельный, А. В. Алуев, С. В. Маслов, “Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP”, Квантовая электроника, 34:1 (2004), 2–4 [A. A. Chel'nyi, A. V. Aluev, S. V. Maslov, “Optimisation of doping cladding layers in AlGaInP/GaInP laser heterostructures”, Quantum Electron., 34:1 (2004), 2–4 ] |
1
|
|
2002 |
| 3. |
В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1099–1104 [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104 ] |
21
|
|
2001 |
| 4. |
А. В. Алуев, А. М. Морозюк, М. Ш. Кобякова, А. А. Чельный, “Мощные непрерывные 2.5-Вт лазерные диоды, изготовленные в системе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 31:7 (2001), 627–628 [A. V. Aluev, A. M. Morozyuk, M. Sh. Kobyakova, A. A. Chel'nyi, “High-power 2.5-W cw AlGaAs/GaAs laser diodes”, Quantum Electron., 31:7 (2001), 627–628 ] |
5
|
|
1994 |
| 5. |
О. В. Журавлева, Н. Н. Киселева, В. Д. Курносов, О. Ю. Малашина, А. А. Чельный, В. А. Шишкин, “Одночастотные GaAIAs/GaAs -лазеры”, Квантовая электроника, 21:3 (1994), 205–208 [O. V. Zhuravleva, N. N. Kiseleva, V. D. Kurnosov, O. Yu. Malashina, A. A. Chel'nyi, V. A. Shishkin, “Single-frequency GaAIAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 24:3 (1994), 187–190 ] |
1
|
|
1993 |
| 6. |
В. А. Горбылев, А. И. Петров, А. Б. Петухов, А. А. Чельный, “Оптимизация параметров квантово-размерных напряженных гетеролазерных структур InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 20:5 (1993), 454–456 [V. A. Gorbylev, A. I. Petrov, A. B. Petukhov, A. A. Chel'nyi, “Optimization of InGaAs/GaAs quantum-well strain-layer heterojunction laser structures”, Quantum Electron., 23:5 (1993), 391–393 ] |
1
|
|
1991 |
| 7. |
В. А. Горбылев, М. В. Зверков, О. А. Лабутин, А. И. Петров, А. А. Чельный, В. И. Швейкин, “Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 18:7 (1991), 824–825 [V. A. Gorbylev, M. V. Zverkov, O. A. Labutin, A. I. Petrov, A. A. Chel'nyi, V. I. Shveǐkin, “Laser diode emitting cw 663 nm radiation at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 21:7 (1991), 745–746 ] |
|
1973 |
| 8. |
В. М. Вакуленко, В. Г. Захаров, Л. П. Иванов, А. Ф. Лавров, Б. А. Парфенов, А. А. Чельный, И. А. Бондарев, “Установка «Квант-9» для сверления отверстий”, Квантовая электроника, 1973, № 2(14), 99–102 [V. M. Vakulenko, V. G. Zakharov, L. P. Ivanov, A. F. Lavrov, B. A. Parfenov, A. A. Chel'nyi, I. A. Bondarev, “Kvant-9 apparatus for drilling of holes”, Sov J Quantum Electron, 3:2 (1973), 158–160] |
|
Обратная связь: