|
Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 627–628
(Mi qe2016)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Лазеры. Активные среды
Мощные непрерывные 2.5-Вт лазерные диоды, изготовленные в системе AlGaAs/GaAs
А. В. Алуев, А. М. Морозюк, М. Ш. Кобякова, А. А. Чельный ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация:
Изготовлены и исследованы непрерывные лазерные полупроводниковые излучатели с рабочей мощностью 2.5 Вт при ширине полоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм. Лазерная гетероструктура с сильнолегированным Р-эмиттером изготавливалась МОС-гидридным методом в системе AlGaAs/GaAs. При длине резонатора 800 мкм внешняя дифференциальная квантовая эффективность составила 84% (1.2 Вт/А), а характеристическая температура порогового тока была равна 230 К. Прогнозируемый ресурс работы – более 5·103 ч.
Поступила в редакцию: 17.12.2000 Исправленный вариант: 23.03.2001
Образец цитирования:
А. В. Алуев, А. М. Морозюк, М. Ш. Кобякова, А. А. Чельный, “Мощные непрерывные 2.5-Вт лазерные диоды, изготовленные в системе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 31:7 (2001), 627–628 [Quantum Electron., 31:7 (2001), 627–628]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2016 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i7/p627
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 226 | PDF полного текста: | 79 | Первая страница: | 1 |
|