|
Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 1, страницы 2–4
(Mi qe2569)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды. Лазеры
Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
А. А. Чельный, А. В. Алуев, С. В. Маслов ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация:
Исследовано влияние уровня легирования эмиттеров на характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе системы AlGaInP/GaInP/GaAs и излучающих на длине волны 670–680 нм. Экспериментально показано, что при увеличении отношения уровней легирования эмиттеров P/N наблюдается увеличение плотности тока инверсии J0 и коэффициента дифференциального усиления β. Одновременно с этим монотонно увеличивается и характеристическая температура T0. Внутренний квантовый выход вынужденной рекомбинации η0 имеет максимум при P/N = 2.1. Изготовлены лазерные диоды с шириной мезаполоски 100 мкм, на которых в непрерывном режиме достигнута мощность излучения до 1000 мВт при эффективности 1.55 Вт/А.
Поступила в редакцию: 06.08.2003
Образец цитирования:
А. А. Чельный, А. В. Алуев, С. В. Маслов, “Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP”, Квантовая электроника, 34:1 (2004), 2–4 [Quantum Electron., 34:1 (2004), 2–4]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2569 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i1/p2
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 138 | PDF полного текста: | 88 | Первая страница: | 1 |
|