Оптимизация параметров квантово-размерных напряженных гетеролазерных структур InGaAs/GaAs

Представлены первые результаты по выращиванию методом МОС-гидридной технологии девятислойных и одиннадцатислойных гетероструктур In_xGa_1–xAs/GaAs/AlGaAs для создания лазерных диодов на диапазон 0,9 – 1,1 мкм. Проведенные расчеты показывают, что требуемая длина волны (например, λ = 0,98 мкм) может быть получена в широком диапазоне составов (0,14 ≤ x ≤ 0,4) и толщин активной области (4 нм ≤ L_z ≤ 25 нм). Обсужден выбор оптимальных параметров в зависимости от воспроизводимости выращивания. Полученные излучатели на λ = 0,95 – 1,016 мкм, указывают на перспективность их разработки в связи с отсутствием деградации при жестких режимах испытаний – уровнях мощности излучения 50 и 100 мВт в непрерывном режиме. Пороговые токи I_th составили 40 – 55 мА и внешняя эффективность была ~0,2 Вт/А.