|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
М. И. Васьковская, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором”, Квантовая электроника, 47:9 (2017), 835–841   [M. I. Vas'kovskaya, V. V. Vasil'ev, S. A. Zibrov, V. L. Velichansky, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Amplitude/phase modulation and spectrum of the vertical-cavity surface-emitting laser output”, Quantum Electron., 47:9 (2017), 835–841   ] |
11
|
|
2008 |
| 2. |
Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов, “Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 993–1000 [D. R. Miftakhutdinov, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Popovichev, A. P. Nekrasov, “Radiation parameters of ridge lasers at high pump currents”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 993–1000 ] |
10
|
|
2005 |
| 3. |
С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов, “Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора”, Квантовая электроника, 35:6 (2005), 515–519 [S. A. Plisyuk, I. V. Akimova, A. E. Drakin, A. V. Borodaenko, A. A. Stratonnikov, V. V. Popovichev, A. P. Bogatov, “Quality of the optical beam of a high-power, single-mode, 0.81-μm ridge AlGaAs heterolaser”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 515–519 ] |
1
|
|
1998 |
| 4. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 1013–1016 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “High-temperature properties of InGaN light-emitting diodes”, Quantum Electron., 28:11 (1998), 987–990 ] |
3
|
| 5. |
И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 25:7 (1998), 647–650 [I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Dynamics of the optical damage of output mirrors of ridge semiconductor lasers based on strained quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 629–632 ] |
5
|
| 6. |
П. Г. Елисеев, И. В. Акимова, “Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 206–210 [P. G. Eliseev, I. V. Akimova, “Emission from quantum-well InGaAs structures”, Quantum Electron., 28:3 (1998), 198–202 ] |
1
|
|
1996 |
| 7. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, П. Перлин, “Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки”, Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1069–1071 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, P. Perlin, “Spontaneous emission from a quantum-well GaN/InGaN/AlGaN heterostructure at high pump currents”, Quantum Electron., 26:12 (1996), 1039–1041 ] |
7
|
|
1995 |
| 8. |
П. Г. Елисеев, Г. Байстер, А. Е. Дракин, И. В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан, “Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем”, Квантовая электроника, 22:4 (1995), 309–320 [P. G. Eliseev, G. Beister, A. E. Drakin, I. V. Akimova, G. Erbert, J. Maege, J. Sebastian, “Power hysteresis and waveguide bistability of stripe quantum-well InGaAsGaAsGaAIAs heterolasers with a strained active layer”, Quantum Electron., 25:4 (1995), 291–301 ] |
1
|
|
1994 |
| 9. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 21:5 (1994), 405–408 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. I. Shveikin, “Spectral investigation of the radiation emitted by strained InGaAs/GaAlAs quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 373–376 ] |
|
1989 |
| 10. |
И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462 [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306 ] |
|
1987 |
| 11. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|
1985 |
| 12. |
И. В. Акимова, А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, П. В. Шапкин, “Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)”, Физика твердого тела, 27:6 (1985), 1734–1741 |
| 13. |
И. В. Акимова, Т. И. Березина, А. Н. Печенов, В. И. Решетов, Л. Е. Решетова, П. В. Шапкин, “Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1307–1309 [I. V. Akimova, T. I. Berezina, A. N. Pechenov, V. I. Reshetov, L. E. Reshetova, P. V. Shapkin, “Influence of excess sulfur pressure during growth of CdS crystals on the characteristics of electron-beam-excited lasers”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 867–868 ] |
|
1982 |
| 14. |
И. В. Акимова, А. В. Дуденкова, В. И. Козловский, Ю. В. Коростелин, А. С. Насибов, П. В. Резников, Е. М. Тишина, П. В. Шапкин, “Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe”, Квантовая электроника, 9:10 (1982), 2099–2102 [I. V. Akimova, A. V. Dudenkova, V. I. Kozlovsky, Yu. V. Korostelin, A. S. Nasibov, P. V. Reznikov, E. M. Tishina, P. V. Shapkin, “Improvement of the characteristics of ZnSe single-crystal semiconductor lasers pumped longitudinally by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 12:10 (1982), 1366–1368 ] |
6
|
|
1977 |
| 15. |
И. В. Акимова, Л. Н. Борович, И. П. Василищева, А. В. Дуденкова, А. В. Егоров, А. С. Насибов, О. Н. Таленский, Ю. М. Попов, П. В. Шапкин, “Определение глубины нарушенного слоя в лазерных экранах, изготовленных из монокристаллов сульфида кадмия”, Квантовая электроника, 4:6 (1977), 1357–1359 [I. V. Akimova, L. N. Borovich, I. P. Vasilishcheva, A. V. Dudenkova, A. V. Egorov, A. S. Nasibov, O. N. Talenskiǐ, Yu. M. Popov, P. V. Shapkin, “Determination of the depth of the disturbed layer in laser screens made of cadmium sulfide single crystals”, Sov J Quantum Electron, 7:6 (1977), 765–767] |
3
|
|
Обратная связь: