|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2009 |
| 1. |
Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723–726   [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726   ] |
14
|
| 2. |
Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20 ] |
3
|
|
2008 |
| 3. |
М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 989–992 [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992 ] |
11
|
| 4. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008), 97–102 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102 ] |
2
|
|
2005 |
| 5. |
В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм”, Квантовая электроника, 35:10 (2005), 909–911 [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911 ] |
2
|
|
Обратная связь: