|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
О. О. Багаева, А. В. Иванов, В. Н. Дроздовский, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Увеличение диапазона токов накачки одночастотного лазерного диода с частотой излучения, настроенной на линию D<sub>2</sub> цезия”, Квантовая электроника, 51:11 (2021), 970–975   [O. O. Bagaeva, A. V. Ivanov, V. N. Drozdovskii, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Increasing the pump current range of a single-frequency laser diode tuned to the caesium D<sub>2</sub> line”, Quantum Electron., 51:11 (2021), 970–975   ] |
|
2020 |
| 2. |
О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов, “Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:6 (2020), 600–602 [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, V. A. Simakov, V. N. Svetogorov, R. V. Chernov, “1.5 – 1.6 μm semiconductor lasers with an asymmetric periodic optically coupled waveguide”, Quantum Electron., 50:6 (2020), 600–602 ] |
1
|
| 3. |
О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 143–146 [O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146 ] |
7
|
|
2019 |
| 4. |
О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 649–652 [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetric-waveguide multimode lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652 ] |
6
|
| 5. |
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521 ] |
1
|
|
2018 |
| 6. |
П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 495–501 [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetricwaveguide single-mode lasers”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501 ] |
11
|
|
2016 |
| 7. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов, “Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов”, ЖТФ, 86:10 (2016), 83–88 ; A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. S. Meshkov, V. N. Penkin, V. I. Romantsevich, M. B. Uspenskiy, R. V. Chernov, “Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities”, Tech. Phys., 61:10 (2016), 1525–1530 |
|
2014 |
| 8. |
П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5–1.55 мкм”, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 149–156 [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Simulation of power – current characteristics of high-power semiconductor lasers emitting in the range 1.5 – 1.55 μm”, Quantum Electron., 44:2 (2014), 149–156 ] |
6
|
|
2013 |
| 9. |
В. С. Жолнеров, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, “Экспериментальное исследование низкочастотных амплитудных шумов лазерного диода с волоконной брэгговской решеткой”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 824–827 [V. S. Zholnerov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, “An experimental study of low-frequency amplitude noise in a fibre Bragg grating laser diode”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 824–827 ] |
4
|
| 10. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823 ] |
2
|
| 11. |
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821 [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821 ] |
2
|
|
2011 |
| 12. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. А. Мармалюк, Н. А. Волков, В. С. Жолнеров, “Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 692–696 [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. A. Marmalyuk, N. A. Volkov, V. S. Zholnerov, “Spectral characteristics of a laser emitter designed for pumping and detecting a reference quantum transition of a caesium frequency standard”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 692–696 ] |
8
|
|
2007 |
| 13. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов, “Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs”, Квантовая электроника, 37:6 (2007), 545–548 [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, R. V. Chernov, “Refractive indices of solid AlGaInAs solutions”, Quantum Electron., 37:6 (2007), 545–548 ] |
10
|
|
2006 |
| 14. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов, “Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP”, Квантовая электроника, 36:10 (2006), 918–924 [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, R. V. Chernov, “Simulations of light–current and spectral characteristics of InGaAlAs/InP semiconductor lasers”, Quantum Electron., 36:10 (2006), 918–924 ] |
12
|
|
2004 |
| 15. |
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. В. Лобинцов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов”, Квантовая электроника, 34:1 (2004), 15–19 [O. V. Zhuravleva, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. V. Lobintsov, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Study of the spectral and power characteristics of superluminescent diodes”, Quantum Electron., 34:1 (2004), 15–19 ] |
10
|
|
2003 |
| 16. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. В. Лобинцов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, “Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику”, Квантовая электроника, 33:5 (2003), 425–429 [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. V. Lobintsov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, “Effect of parasitic elements of a ridge laser on its modulation characteristic”, Quantum Electron., 33:5 (2003), 425–429 ] |
1
|
|
1989 |
| 17. |
А. А. Блискавицкий, М. Г. Васильев, В. А. Вдовенков, И. С. Голдобин, Е. Г. Голикова, А. В. Иванов, В. И. Романцевич, В. Ф. Серегин, Н. В. Шелков, А. А. Шелякин, М. В. Эйнасто, “Динамика излучения (InGa)AsP-гетеролазера с двухканальным боковым ограничением”, Квантовая электроника, 16:7 (1989), 1329–1332 [A. A. Bliskavitskiǐ, M. G. Vasil'ev, V. A. Vdovenkov, I. S. Goldobin, E. G. Golikova, A. V. Ivanov, V. I. Romantsevich, V. F. Seregin, N. V. Shelkov, A. A. Shelyakin, M. B. Éǐnasto, “Dynamics of emission from an (InGa)AsP heterolaser with two-channel lateral confinement”, Sov J Quantum Electron, 19:7 (1989), 856–859 ] |
| 18. |
И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462 [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306 ] |
|
Обратная связь: