|
Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 10, страницы 918–924
(Mi qe13278)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Лазеры
Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация:
Проведено моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров с использованием моделей с обращением и без обращения масс для излучательных переходов с выполнением и без выполнения правила отбора по волновому вектору. Наилучшее совпадение теории и эксперимента получено в случае модели без обращения масс с излучательными переходами без выполнения правила отбора. Обсуждаются полученные результаты.
Поступила в редакцию: 28.03.2006 Исправленный вариант: 24.05.2006
Образец цитирования:
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов, “Моделирование ватт-амперных и спектральных характеристик полупроводниковых лазеров на основе InGaAlAs/InP”, Квантовая электроника, 36:10 (2006), 918–924 [Quantum Electron., 36:10 (2006), 918–924]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13278 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v36/i10/p918
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 209 | PDF полного текста: | 122 | Первая страница: | 1 |
|