|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. С. Кривобок, Г. Н. Ерошенко, А. В. Муратов, С. Н. Николаев, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, К. А. Савин, Д. А. Пашкеев, А. Р. Дубовая, Ю. А. Алещенко, С. И. Ченцов, “Одноэлектронный спектр короткопериодной InAs/GaSb сверхрешетки с интерфейсной компенсацией напряжений”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 354–358  |
|
2021 |
| 2. |
В. С. Кривобок, А. Д. Кондорский, Д. А. Пашкеев, Е. А. Екимов, А. Д. Шабрин, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, М. А. Чернопицский, А. В. Клековкин, П. А. Форш, “Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36  ; V. S. Krivobok, A. D. Kondorskiy, D. A. Pashkeev, E. A. Ekimov, A. D. Shabrin, D. A. Litvinov, L. N. Grigor'eva, S. A. Kolosov, M. A. Chernopitskii, A. V. Klekovkin, P. A. Forsh, “A hybrid mid-IR photodetector based on semiconductor quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 388–391 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
В. С. Кривобок, Д. А. Пашкеев, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, “Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 3–6 ; V. S. Krivobok, D. A. Pashkeev, D. A. Litvinov, L. N. Grigor'eva, S. A. Kolosov, “The influence of interfacial effects on the electron spectrum of GaAs/AlGaAs structures used for the creation of MID-IR photodetectors”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 256–259 |
1
|
|
2019 |
| 4. |
В. С. Кривобок, Д. А. Литвинов, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, Д. А. Пашкеев, М. А. Чернопицский, Л. Н. Григорьева, “Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1632–1640 ; V. S. Krivobok, D. A. Litvinov, S. N. Nikolaev, E. E. Onishchenko, D. A. Pashkeev, M. A. Chernopitskii, L. N. Grigor'eva, “Excitonic effects and impurity–defect emission in GaAs/AlGaAs structures used for the production of mid-IR photodetectors”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1608–1616 |
3
|
|
2016 |
| 5. |
Д. А. Пашкеев, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, “Твердый раствор Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 229–235 ; D. A. Pashkeev, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, “Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) as materials for vertical-cavity surface-emitting lasers in the mid-infrared spectral range of 4–5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:2 (2016), 228–234 |
1
|
|
2013 |
| 6. |
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, Е. В. Бушуев, Г. Т. Микаелян, “Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле”, Квантовая электроника, 43:2 (2013), 144–146 [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, E. V. Bushuev, G. T. Mikayelyan, “Broadening and splitting of emission spectra of a GaInAs/AlInAs quantum cascade laser in a quantising magnetic field”, Quantum Electron., 43:2 (2013), 144–146   ] |
|
2010 |
| 7. |
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010), 95–97 [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97 ] |
8
|
|
Обратная связь: