Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучение в GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазона

С помощью молекулярно-пучковой эпитаксии получена серия нелегированных GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, легированные аналоги которых используются при создании фотоприемников на спектральный диапазон 8–12 мкм. Для выращенных гетероструктур установлено спектральное положение линий поглощения, соответствующих разрешенным переходам между электронными и дырочными уровнями размерного квантования в GaAs-слоях. Исследовано влияние примесно-дефектных состояний на спектры люминесценции и поглощения квантовых ям. Определены величины экситонных поправок для разрешенных переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и содержания алюминия в барьерных слоях. Обсуждается роль экситонных эффектов при восстановлении структуры одноэлектронных состояний по спектрам межзонного поглощения (возбуждения люминесценции), а также связь этих состояний с рабочим диапазоном ИК-фотоприемников на основе GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As-квантовых ям.