|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям
В. С. Кривобокa, А. Д. Кондорскийa, Д. А. Пашкеевb, Е. А. Екимовac, А. Д. Шабринb, Д. А. Литвиновa, Л. Н. Григорьеваad, С. А. Колосовa, М. А. Чернопицскийa, А. В. Клековкинa, П. А. Форшe a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Научно-производственное объединение "Орион", Москва, Россия
c Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН
d Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
e Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
Аннотация:
Реализовано гибридное фотоприемное устройство, в котором для увеличения взаимодействия электромагнитного поля с электронной подсистемой квантовых ям используются частицы карбида кремния (SiC). На основе прямых измерений фотопроводимости в среднем инфракрасном диапазоне и расчетов в рамках метода конечных разностей во временной области показано, что такой подход позволяет увеличить чувствительность фотоприемного устройства к электромагнитному излучению за счет поворота направления поляризации электрического поля, в том числе в ближней зоне частиц SiC.
Ключевые слова:
ИК-детектор, квантовая яма, фононный поляритон, SiC.
Поступила в редакцию: 15.12.2020 Исправленный вариант: 15.12.2020 Принята в печать: 14.01.2021
Образец цитирования:
В. С. Кривобок, А. Д. Кондорский, Д. А. Пашкеев, Е. А. Екимов, А. Д. Шабрин, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, М. А. Чернопицский, А. В. Клековкин, П. А. Форш, “Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 33–36; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 388–391
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6564 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i8/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 41 |
|