Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 6, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.06.49155.18130 (Mi pjtf5150) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона

В. С. Кривобокa, Д. А. Пашкеевab, Д. А. Литвиновa, Л. Н. Григорьеваac, С. А. Колосовa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b НПО "Орион", Москва, Россия
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (281 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.06.49155.18130
Аннотация: Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, что такие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрах поглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвига между уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленные эффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурах GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As для ФПУ.
Ключевые слова: ИК-детектор, гетероструктура, квантовая яма, низкотемпературная фотолюминесценция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-79-30086
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (№ 19-79-30086).
Поступила в редакцию: 22.11.2019
Исправленный вариант: 22.11.2019
Принята в печать: 09.12.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 3, Pages 256–259
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020030256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. С. Кривобок, Д. А. Пашкеев, Д. А. Литвинов, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, “Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 3–6; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 256–259
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KriPasLit20}
\by В.~С.~Кривобок, Д.~А.~Пашкеев, Д.~А.~Литвинов, Л.~Н.~Григорьева, С.~А.~Колосов
\paper Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазона
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 6
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5150}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.06.49155.18130}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776945}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 3
\pages 256--259
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020030256}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5150
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i6/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024