|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. Е. Дураков, И. А. Деребезов, В. М. Винокур, А. Ю. Миронов, “Особенности разрушения сверхизоляторного состояния импульсным напряжением в пленках NbTiN”, Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021), 72–77  ; D. E. Durakov, I. A. Derebezov, V. M. Vinokur, A. Yu. Mironov, “Specific features of the destruction of a superinsulating state by voltage pulses in NbTiN films”, JETP Letters, 114:2 (2021), 76–80   |
|
2019 |
| 2. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1338–1342  ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Non-classical light sources based on selectively positioned deterministic microlenses structures and (111) In(Ga)As quantum dots”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1326–1330 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Spectroscopy of single AlInAs and (111)-oriented InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109 |
4
|
| 5. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1451–1455 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Subminiature emitters based on a single (111) In(Ga)As quantum dot and hybrid microcavity”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1399–1402 |
|
2013 |
| 6. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
10
|
|
Обратная связь: