|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1999 |
| 1. |
В. С. Вавилов, П. К. Эфимиу, Д. Е. Зардас, “Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа А<sup>III</sup>В<sup>V</sup>”, УФН, 169:2 (1999), 209–212  ; V. S. Vavilov, P. C. Euthymiou, G. E. Zardas, “Persistent photoconductivity in semiconducting А<sup>III</sup>В<sup>V</sup> compounds”, Phys. Usp., 42:2 (1999), 199–201  |
15
|
|
1997 |
| 2. |
В. С. Вавилов, “Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы”, УФН, 167:4 (1997), 407–412 ; V. S. Vavilov, “Atomic migration and related changes in defect concentration and structure due to electronic subsystem excitations in semiconductors”, Phys. Usp., 40:4 (1997), 387–392 |
21
|
| 3. |
В. С. Вавилов, “Алмаз в твердотельной электронике”, УФН, 167:1 (1997), 17–22 ; V. S. Vavilov, “Diamond in solid state electronics”, Phys. Usp., 40:1 (1997), 15–20 |
24
|
|
1995 |
| 4. |
В. С. Вавилов, “Полупроводники в современном мире”, УФН, 165:5 (1995), 591–594 ; V. S. Vavilov, “Semiconductors in the modern world”, Phys. Usp., 38:5 (1995), 555–558 |
4
|
| 5. |
В. С. Вавилов, А. Р. Челядинский, “Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения”, УФН, 165:3 (1995), 347–358 ; V. S. Vavilov, A. R. Chelyadinskii, “Impurity ion implantation into silicon single crystals: efficiency and radiation damage”, Phys. Usp., 38:3 (1995), 333–343 |
19
|
|
1994 |
| 6. |
В. С. Вавилов, “Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей”, УФН, 164:4 (1994), 429–433 ; V. S. Vavilov, “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods”, Phys. Usp., 37:4 (1994), 407–411 |
15
|
| 7. |
В. С. Вавилов, “Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений”, УФН, 164:3 (1994), 287–296 ; V. S. Vavilov, “Physics and applications of wide bandgap semiconductors”, Phys. Usp., 37:3 (1994), 269–277 |
41
|
|
1991 |
| 8. |
В. С. Вавилов, Ю. А. Водаков, А. И. Иванов, Е. Н. Мохов, А. Д. Роенков, М. В. Чукичев, Р. Г. Веренчикова, “Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми
электронами”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 762–766 |
|
1990 |
| 9. |
В. С. Вавилов, М. В. Чукичев, К. Хакимов, Л. А. Битюцкая, Д. В. Китин, М. Ю. Хухрянский, “Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного
дифосфида цинка, легированного медью”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2132–2135 |
|
1989 |
| 10. |
С. А. Казарян, А. А. Гиппиус, В. С. Вавилов, “Взаимодействие имплантированных атомов никеля с дефектами и примесями
в природном алмазе (по данным люминесценции)”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 156–161 |
|
1988 |
| 11. |
В. Н. Якимкин, В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, В. С. Вавилов, А. Э. Седельников, В. А. Дравин, В. В. Черняев, Н. Ю. Пономарев, “Лазерный отжиг имплантрованного GaAs. Роль имплантационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1563–1568 |
|
1987 |
| 12. |
К. Хакимов, В. С. Вавилов, С. Ф. Маренкин, М. Ю. Хухрянский, М. В. Чукичев, “Катодолюминесценция кристаллов
ZnAs$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1447–1450 |
| 13. |
К. Хакимов, В. С. Вавилов, Л. А. Битюцкая, Е. Н. Бормонтов, М. В. Чукичев, “Стимулированное излучение при электронном возбуждении кристаллов
дифосфида цинка моноклинной модификации”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1141–1143 |
| 14. |
В. С. Вавилов, В. С. Коваль, П. А. Романык, Н. В. Стучинская, К. Хакимов, Г. П. Чуйко, М. В. Чукичев, “Излучательная рекомбинация одноосно деформированных монокристаллов
ZnP$_{2}$ и CdP$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 1016–1020 |
| 15. |
В. З. Болбошенко, В. С. Вавилов, Г. Н. Иванова, Д. Д. Недеогло, А. В. Симашкевич, М. В. Чукичев, “Исследование катодолюминесценции кристаллов ZnSe, термообработанных
в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 191–194 |
|
1986 |
| 16. |
В. С. Вавилов, В. А. Морозова, “Электромодуляционные спектры высокоомного
GaAs с V”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1114–1116 |
| 17. |
И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, А. Н. Каррыев, И. А. Курова, К. Б. Читая, “Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H
с имплантированными ионами фосфора и бора”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 818–821 |
| 18. |
В. С. Вавилов, В. А. Морозова, “Внутрицентровая электролюминесценция ванадия в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 363–365 |
|
1985 |
| 19. |
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин, “Особенности спектров плотности поверхностных состояний структур
Si$-$SiO$_{2}$, облученных ионами Ar$^{+}$ различной энергии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 682–686 |
| 20. |
В. С. Вавилов, “Некоторые физические аспекты ионной имплантации”, УФН, 145:2 (1985), 329–346 ; V. S. Vavilov, “Some physical aspects of ion implantation”, Phys. Usp., 28:2 (1985), 196–206 |
6
|
|
1984 |
| 21. |
И. П. Акимченко, Ю. В. Бармин, В. С. Вавилов, В. И. Гавриленко, И. В. Золотухин, В. Г. Литовченко, “Оптические свойства и структура пленок $a$-Si,
свободных
от подложки”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2138–2141 |
| 22. |
В. С. Вавилов, В. А. Морозова, В. В. Остробородова, А. Д. Смирнова, “Экспериментальное обнаружение уровней Ваннье в $n$-GaAs, легированном
хромом”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1882–1885 |
| 23. |
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин, В. В. Поспелов, “Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 696–699 |
|
1983 |
| 24. |
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, А. Г. Казанский, В. С. Вавилов, “Спектральные зависимости фотопроводимости
$a$-Si : Н в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1526–1528 |
| 25. |
В. С. Вавилов, А. Г. Казанский, И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “О фотопроводимости $a$-Si$-$H в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1311–1313 |
| 26. |
Г. Н. Галкин, Р. У. Аббасова, Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, “Локальные энергетические уровни в кремнии, обусловленные имплантацией
ионов титана в структуры Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 299–304 |
|
1976 |
| 27. |
В. С. Вавилов, Е. А. Конорова, “Полупроводниковые алмазы”, УФН, 118:4 (1976), 611–639 ; V. S. Vavilov, E. A. Konorova, “Semiconducting diamonds”, Phys. Usp., 19:4 (1976), 301–316 |
35
|
|
1972 |
| 28. |
В. С. Вавилов, Е. А. Конорова, “Полупроводниковые алмазы”, УФН, 108:3 (1972), 600–601 ; V. S. Vavilov, E. A. Konorova, “Semiconductor diamonds”, Phys. Usp., 15:6 (1973), 835 |
2
|
|
1971 |
| 29. |
В. С. Вавилов, М. А. Гукасян, М. И. Гусева, Е. А. Конорова, В. Ф. Сергиенко, “Электронно-дырочный переход в алмазе, полученный внедрением ионов бора и фосфора”, Докл. АН СССР, 200:4 (1971), 821–824 |
|
1965 |
| 30. |
В. С. Вавилов, Э. Л. Нолле, “Оптический квантовый генератор на теллуриде кадмия с электронным возбуждением”, Докл. АН СССР, 164:1 (1965), 73–74 |
|
1964 |
| 31. |
В. С. Вавилов, “Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках”, УФН, 84:3 (1964), 431–450 ; V. S. Vavilov, “The nature and energy spectrum of radiation defects in semiconductors”, Phys. Usp., 7:6 (1965), 797–808 |
15
|
|
1963 |
| 32. |
В. С. Вавилов, “Международная конференция по дефектам кристаллов (Киото, 7–12 сентября 1962 г.)”, УФН, 79:1 (1963), 153–159 |
|
1962 |
| 33. |
В. С. Вавилов, С. Г. Калашников, “Фотоэлектрические явления в полупроводниках (Вторая Международная конференция по фотопроводимости)”, УФН, 76:4 (1962), 749–758 |
|
1961 |
| 34. |
В. С. Вавилов, “Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния”, УФН, 75:2 (1961), 263–276 ; V. S. Vavilov, “Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals”, Phys. Usp., 4:5 (1961), 761–769 |
40
|
|
1959 |
| 35. |
В. С. Вавилов, “Современная физика полупроводников”, УФН, 69:1 (1959), 149–156 |
| 36. |
В. С. Вавилов, “Излучательная рекомбинация в полупроводниках”, УФН, 68:2 (1959), 247–260 ; V. S. Vavilov, “Radiative recombination in semiconductors”, Phys. Usp., 2:3 (1959), 455–464 |
5
|
|
1957 |
| 37. |
В. С. Вавилов, Л. С. Смирнов, В. М. Пацкевич, “Энергия ионизации электронами в кристаллах германия”, Докл. АН СССР, 112:6 (1957), 1020–1022 |
| 38. |
В. С. Вавилов, В. М. Маловецкая, Г. Н. Галкин, А. П. Ландсман, “Кремниевые солнечные батареи как источники электрического питания искусственных спутников Земли”, УФН, 63:1 (1957), 123–129 |
4
|
|
1955 |
| 39. |
В. С. Вавилов, “Полупроводниковые преобразователи энергии излучений”, УФН, 56:1 (1955), 111–130 |
2
|
|
1952 |
| 40. |
В. С. Вавилов, “Ионный микропроектор”, УФН, 47:1 (1952), 141–145 |
| 41. |
В. С. Вавилов, “Полупроводниковые триоды без точечных контактов”, УФН, 46:1 (1952), 96–106 |
|
1951 |
| 42. |
В. Вавилов, ““Счётчик Черенкова” для частиц космического излучения”, УФН, 44:3 (1951), 443–446 |
| 43. |
В. Вавилов, “Осциллограф с бегущей волной”, УФН, 44:2 (1951), 274–277 |
|
1950 |
| 44. |
В. С. Вавилов, “Наблюдение отдельных молекул с помощью электронного микропроектора”, УФН, 42:4 (1950), 580–583 |
| 45. |
В. Вавилов, “Рентгеновский микроскоп”, УФН, 42:4 (1950), 577–580 |
| 46. |
В. С. Вавилов, “Работа кристаллических триодов в области частот 5–25 Мгц”, УФН, 42:3 (1950), 493–495 |
| 47. |
В. Вавилов, “Внесение местных центров (уровней) проводимости в полупроводники ядерной бомбардировкой”, УФН, 41:1 (1950), 109–112 |
| 48. |
В. С. Вавилов, “Усиление токов высокой частоты кристаллическими германиевыми триодами”, УФН, 40:1 (1950), 120–141 |
|
1949 |
| 49. |
В. С. Вавилов, “Новая теория возникновения первичных космических лучей”, УФН, 39:4 (1949), 612–619 |
| 50. |
В. С. Вавилов, “Опыты по радиолокации Луны”, УФН, 39:3 (1949), 359–370 |
|
|
|
1998 |
| 51. |
В. С. Вавилов, “Настольная книга по проблеме промышленных алмазов и алмазных пленок”, УФН, 168:10 (1998), 1149–1152 ; V. S. Vavilov, “Handbook of industrial diamonds and diamond films”, Phys. Usp., 41:10 (1998), 1045–1046 |
1
|
|
1996 |
| 52. |
В. С. Вавилов, “Современные сведения о полупроводниках”, УФН, 166:7 (1996), 807–808 ; V. S. Vavilov, “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP<br> byA Dargys and J Kundrotas”, Phys. Usp., 39:7 (1996), 757 |
7
|
|
1995 |
| 53. |
В. С. Вавилов, “Свойства алмазов и алмазных пленок”, УФН, 165:9 (1995), 1102–1103 ; V. S. Vavilov, “Properties of diamond and diamond films”, Phys. Usp., 38:9 (1995), 1058–1059 |
|
1993 |
| 54. |
В. С. Вавилов, “Свойства природного и синтетического алмаза”, УФН, 163:11 (1993), 99–101 ; V. S. Vavilov, “The properties of natural and synthetic diamond”, Phys. Usp., 36:11 (1993), 1083–1084 |
9
|
|
1991 |
| 55. |
Э. И. Заварицкая, И. А. Ипатова, Д. Н. Мирлин, В. Н. Мурзин, С. А. Пермогоров, Г. Е. Пикус, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, С. Г. Тиходеев, М. К. Шейнкман, И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, “О XX Международной конференции по физике полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1263–1273 |
|
1988 |
| 56. |
В. С. Вавилов, Ю. В. Гуляев, В. Л. Гуревич, И. П. Звягин, Л. В. Келдыш, Л. Н. Курбатов, А. Г. Миронов, В. Б. Сандомирский, Р. А. Сурис, “Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича”, УФН, 154:2 (1988), 335–336 ; V. S. Vavilov, Yu. V. Gulyaev, V. L. Gurevich, I. P. Zvyagin, L. V. Keldysh, L. N. Kurbatov, A. G. Mironov, V. B. Sandomirskiǐ, R. A. Suris, “Viktor Leopol'dovich Bonch-Bruevich (Obituary)”, Phys. Usp., 31:2 (1988), 171–172 |
|
1986 |
| 57. |
А. П. Александров, Ж. И. Алфёров, Н. Г. Басов, В. С. Вавилов, Л. Н. Курбатов, Г. В. Курдюмов, Ю. А. Осипьян, А. Ф. Плотников, A. М. Прохоров, В. М. Тучкевич, И. М. Халатников, А. П. Шотов, “Памяти Бенциона Моисеевича Вула”, УФН, 149:2 (1986), 349–350 ; A. P. Aleksandrov, Zh. I. Alferov, N. G. Basov, V. S. Vavilov, L. N. Kurbatov, G. V. Kurdyumov, Yu. A. Osip'yan, A. F. Plotnikov, A. M. Prokhorov, V. M. Tuchkevich, I. M. Khalatnikov, A. P. Shotov, “Bentsion Moiseevich Vul (Obituary)”, Phys. Usp., 29:6 (1986), 587–588 |
|
1984 |
| 58. |
В. С. Вавилов, “Распыление твердых тел бомбардировкой частицами”, УФН, 144:3 (1984), 544–545 |
| 59. |
В. С. Вавилов, “Ионная имплантация: оборудование и методика”, УФН, 143:2 (1984), 336–337 |
|
1983 |
| 60. |
В. С. Вавилов, “Техника ионной имплантации”, УФН, 140:4 (1983), 737–738 |
| 61. |
Н. Г. Басов, С. В. Богданов, В. С. Вавилов, С. И. Никольский, А. Ф. Плотников, А. В. Ржанов, А. П. Шотов, “Бенцион Моисеевич Вул (К восьмидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 140:1 (1983), 161–162 ; N. G. Basov, S. V. Bogdanov, V. S. Vavilov, S. I. Nikol'skii, A. F. Plotnikov, A. V. Rzhanov, A. P. Shotov, “Bentsion Moiseevich Vul (on his eightieth birthday)”, Phys. Usp., 26:5 (1983), 462–463 |
|
1963 |
| 62. |
В. С. Вавилов, “Бенцион Моисеевич Вул (К шестидесятилетию со дня рождения)”, УФН, 80:4 (1963), 703–705 ; V. S. Vavilov, “Bentsion Moiseevich Vul (On the occasion of his sixtieth birthday)”, Phys. Usp., 6:4 (1964), 606–608 |
|
1962 |
| 63. |
В. С. Вавилов, “Проблема полупроводников”, УФН, 76:4 (1962), 759–761 |
|
1961 |
| 64. |
В. С. Вавилов, “Сборник “Проблема полупроводников” т. 5”, УФН, 74:4 (1961), 759–761 |
|
1958 |
| 65. |
В. С. Вавилов, “Проблемы физики полупроводников. Сборник статей”, УФН, 65:3 (1958), 547–548 |
|
Обратная связь: