|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения
В. С. Вавиловa, А. Р. Челядинскийb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Белорусский государственный университет, физический факультет
Аннотация:
Проведен анализ ионной имплантации с точки зрения эффективности ее как метода легирования кремния донорными и акцепторными примесями, синтеза соединений на основе кремния, создания геттерирующих слоев, оптоэлектронных структур. Рассмотрены закономерности введения, накопления и отжига радиационных дефектов в имплантированном кремнии. Определены роль и место дефектов межузельного типа в общем процессе радиационного дефектообразования. Проанализированы механизмы атермической миграции атомов кремния в решетке кремния.
Поступила: 1 февраля 1995 г.
Образец цитирования:
В. С. Вавилов, А. Р. Челядинский, “Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения”, УФН, 165:3 (1995), 347–358; Phys. Usp., 38:3 (1995), 333–343
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1070 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v165/i3/p347
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 294 | PDF полного текста: | 114 | Первая страница: | 1 |
|