|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ
Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV
В. С. Вавиловa, П. К. Эфимиуb, Д. Е. Зардасb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Department of Physics, University of Athens, Athens, Greece
Аннотация:
Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.
Поступила: 26 мая 1998 г.
Образец цитирования:
В. С. Вавилов, П. К. Эфимиу, Д. Е. Зардас, “Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV”, УФН, 169:2 (1999), 209–212; Phys. Usp., 42:2 (1999), 199–201
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1570 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v169/i2/p209
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 229 | PDF полного текста: | 55 | Список литературы: | 48 | Первая страница: | 1 |
|