Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1999, том 169, номер 2, страницы 209–212
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0169.199902e.0209
(Mi ufn1570)
 

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕТКИ

Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

В. С. Вавиловa, П. К. Эфимиуb, Д. Е. Зардасb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Department of Physics, University of Athens, Athens, Greece
Список литературы:
Аннотация: Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.
Поступила: 26 мая 1998 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1999, Volume 42, Issue 2, Pages 199–201
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1999v042n02ABEH000589
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey


Образец цитирования: В. С. Вавилов, П. К. Эфимиу, Д. Е. Зардас, “Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV”, УФН, 169:2 (1999), 209–212; Phys. Usp., 42:2 (1999), 199–201
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn1570
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v169/i2/p209
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:218
    PDF полного текста:48
    Список литературы:35
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024