|
Эта публикация цитируется в 40 научных статьях (всего в 40 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений
В. С. Вавилов Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A2B6. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.
Поступила: 1 февраля 1994 г.
Образец цитирования:
В. С. Вавилов, “Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений”, УФН, 164:3 (1994), 287–296; Phys. Usp., 37:3 (1994), 269–277
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn944 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v164/i3/p287
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 565 | PDF полного текста: | 209 | Первая страница: | 1 |
|