|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, И. Д. Бреев, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Высокотемпературные спиновые манипуляции на центрах окраски в ромбическом политипе карбида кремния 21R-SiC”, Письма в ЖЭТФ, 112:12 (2020), 813–819   ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, I. D. Breev, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “High-temperature spin manipulation on color centers in rhombic silicon carbide polytype 21R-SiC”, JETP Letters, 112:12 (2020), 774–779   |
4
|
|
2018 |
| 2. |
И. В. Ильин, Ю. А. Успенская, Д. Д. Крамущенко, М. В. Музафарова, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 641–659 ; I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 |
3
|
| 3. |
А. Н. Анисимов, В. А. Солтамов, И. Д. Бреев, М. М. Халисов, Р. А. Бабунц, А. В. Анкудинов, П. Г. Баранов, “Физические основы применения сканирующего зонда со спиновыми центрами в SiC для субмикронного квантового зондирования магнитных полей и температур”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018), 643–649 ; A. N. Anisimov, V. A. Soltamov, I. D. Breev, M. M. Khalisov, R. A. Babunts, A. V. Ankudinov, P. G. Baranov, “Physical foundations of an application of scanning probe with spin centers in SiC for the submicron quantum probing of magnetic fields and temperatures”, JETP Letters, 108:9 (2018), 610–615 |
6
|
| 4. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении кросс-релаксации спиновых уровней”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 34–41 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicron resolution based on the cross-relaxation phenomenon of spin levels”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 772–775 |
|
2017 |
| 5. |
Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. А. Солтамов, С. С. Нагалюк, “Влияние нейтронного облучения на травление SiC в расплаве КОН”, ЖТФ, 87:7 (2017), 1104–1106 ; E. N. Mokhov, O. P. Kazarova, V. A. Soltamov, S. S. Nagalyuk, “Influence of neutron irradiation on etching of SiC in KOH”, Tech. Phys., 62:7 (2017), 1119–1121 |
| 6. |
А. Н. Анисимов, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, Н. Г. Романов, П. Г. Баранов, “Оптический квантовый термометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017), 70–77 ; A. N. Anisimov, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, N. G. Romanov, P. G. Baranov, “An optical quantum thermometer with submicrometer resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 355–357 |
2
|
|
2016 |
| 7. |
М. В. Музафарова, И. В. Ильин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Электронная структура и пространственное распределение спиновой плотности мелких доноров азота в кристаллической решетке SiC”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2319–2335 ; M. V. Muzafarova, I. V. Il'in, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Electronic structure and spatial distribution of the spin density of shallow nitrogen donors in the SiC lattice”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2406–2422 |
5
|
| 8. |
A. N. Anisimov, R. A. Babunts, S. V. Kidalov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Spin centres in SiC for all-optical nanoscale quantum sensing under ambient conditions”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 83 ; JETP Letters, 104:2 (2016), 82–87 |
8
|
| 9. |
А. Н. Анисимов, Д. О. Толмачев, Р. А. Бабунц, М. В. Музафарова, А. П. Бундакова, И. В. Ильин, В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, Е. Н. Мохов, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “Оптический квантовый магнитометр с субмикронным разрешением, основанный на явлении антипересечения уровней”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 22–29 ; A. N. Anisimov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, M. V. Muzafarova, A. P. Bundakova, I. V. Il'in, V. A. Soltamov, P. G. Baranov, E. N. Mokhov, G. V. Astakhov, V. Dyakonov, “An optical quantum magnetometer with submicron resolution based on the level anticrossing phenomenon”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 618–621 |
2
|
| 10. |
В. А. Солтамов, П. Г. Баранов, “Радиоспектроскопия оптически выстроенных спиновых состояний центров окраски в карбиде кремния”, УФН, 186:6 (2016), 678–684 ; V. A. Soltamov, P. G. Baranov, “Radio spectroscopy of the optically aligned spin states of color centers in silicon carbide”, Phys. Usp., 59:6 (2016), 605–610 |
3
|
|
2012 |
| 11. |
R. A. Babunts, A. A. Soltamova, D. O. Tolmachev, V. A. Soltamov, A. S. Gurin, A. N. Anisimov, V. L. Preobrazhenskii, P. G. Baranov, “Temperature-scanned magnetic resonance and the evidence
of two-way transfer of a nitrogen nuclear spin hyperfine interaction
in coupled NV–N pairs in diamond”, Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012), 477–480 ; JETP Letters, 95:8 (2012), 429–432 |
11
|
|
Обратная связь: