|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 472   ; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124   |
18
|
|
2012 |
| 3. |
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Е. Н. Морозова, Э. В. Девятов, В. Т. Долгополов, “Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной
электронной системе с беспорядком”, Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012), 646–650 ; I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, E. N. Morozova, È. V. Devyatov, V. T. Dolgopolov, “Zero-bias tunneling anomaly in a two-dimensional electron system with disorder”, JETP Letters, 96:9 (2012), 577–581 |
3
|
|
2005 |
| 4. |
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя”, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 574–577 ; I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, “Scattering involving LO phonons in tunneling to the 2D electron system of a delta layer”, JETP Letters, 81:9 (2005), 458–461 |
6
|
|
2004 |
| 5. |
Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров, И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением”, Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004), 489–492 ; E. M. Dizhur, A. N. Voronovskii, A. V. Fedorov, I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, “Transition of the near-surface $\delta$ layer in an Al/$\delta$(Si)–GaAs tunnel structure to the insulating state under pressure”, JETP Letters, 80:6 (2004), 433–435 |
10
|
|
Обратная связь: