Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя

Исследовались структуры Al/$\delta$-GaAs, в которых можно было наблюдать туннелирование как в одну, так и в две или три подзоны двумерной электронной системы дельта-легированного слоя. Энергетические положения 2D подзон в одном образце изменялись за счет диамагнитного сдвига или замороженной туннельной фотопроводимости. Обнаружена смена знака ступеньки в туннельной проводимости на пороге эмиссии LO-фонона при включении очередной подзоны в процесс туннелирования. Возрастание проводимости (положительная ступенька) наблюдалось для неупругого внутриподзонного электрон-фононного рассеяния, а уменьшение проводимости (отрицательная ступенька) – в случае, когда к обычным процессам неупругого туннелирования добавлялись межподзонные переходы протуннелировавших в 2D электронных системах электронов с испусканием LO-фонона.