|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 81, выпуск 9, страницы 574–577
(Mi jetpl1740)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия
Аннотация:
Исследовались структуры Al/$\delta$-GaAs, в которых можно было наблюдать туннелирование как в одну, так и в две или три подзоны двумерной электронной системы дельта-легированного слоя. Энергетические положения 2D подзон в одном образце изменялись за счет диамагнитного сдвига или замороженной туннельной фотопроводимости. Обнаружена смена знака ступеньки в туннельной проводимости на пороге эмиссии LO-фонона при включении очередной подзоны в процесс туннелирования. Возрастание проводимости (положительная ступенька) наблюдалось для неупругого внутриподзонного электрон-фононного рассеяния, а уменьшение проводимости (отрицательная ступенька) – в случае, когда к обычным процессам неупругого туннелирования добавлялись межподзонные переходы протуннелировавших в 2D электронных системах электронов с испусканием LO-фонона.
Поступила в редакцию: 24.03.2005
Образец цитирования:
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя”, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 574–577; JETP Letters, 81:9 (2005), 458–461
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1740 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v81/i9/p574
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 189 | PDF полного текста: | 64 | Список литературы: | 38 |
|