Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 80, выпуск 6, страницы 489–492 (Mi jetpl2128)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением

Е. М. Дижурa, А. Н. Вороновскийa, А. В. Федоровa, И. Н. Котельниковb, С. Е. Дижурb

a Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН, 142190 Троицк, Россия
b Институт радиотехники и электроники РАН, 125009 Москва, Россия
PDF полного текста (309 kB) Список цитирования (10)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Измерены туннельная и латеральная проводимости туннельной структуры Al/GaAs с приповерхностным слоем $\delta$-легирования кремнием при гелиевых температурах под гидростатическим давлением до $3$ ГПа. Обнаружен переход $\delta$-слоя в диэлектрическое состояние при давлении $\approx 2$ ГПа. Туннельное сопротивление растет при этом монотонно (в логарифмическом масштабе), а туннельная аномалия сопротивления при нулевом смещении проходит через резкий пик. Эти результаты интерпретируются в рамках представлений о влиянии давления на зонную структуру и поведение DX-уровней.
Поступила в редакцию: 12.08.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 80, Issue 6, Pages 433–435
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1830663
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 62.50.+p, 73.21.-b, 73.30.$+$y, 73.40.Gk
Образец цитирования: Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров, И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением”, Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004), 489–492; JETP Letters, 80:6 (2004), 433–435
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DizVorFed04}
\by Е.~М.~Дижур, А.~Н.~Вороновский, А.~В.~Федоров, И.~Н.~Котельников, С.~Е.~Дижур
\paper Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)--GaAs в диэлектрическое состояние под давлением
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 80
\issue 6
\pages 489--492
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2128}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..80..433D}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 80
\issue 6
\pages 433--435
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1830663}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2128
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v80/i6/p489
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:205
    PDF полного текста:51
    Список литературы:44
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024