Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной электронной системе с беспорядком

В туннельной структуре Al/$\delta$-GaAs с концентрацией $2D$-электронов в $\delta$-слое $3.5\cdot10^{12}$  см$^{-2}$ исследована зависимость аномалии туннельной проводимости при нулевом смещении от температуры $T$. Показано, что соответствующий этой аномалии провал $\Delta\rho(\varepsilon,T)$ в туннельной плотности состояний $\rho$ вблизи ферми-уровня $E_{\rm F}$ двумерной электронной системы логарифмически зависит от энергии $\varepsilon$ в диапазоне $2.7kT<|\varepsilon|<\hbar/\tau$, где $\varepsilon$ отсчитана от $E_{\mathrm F}$, а $\tau$ – время релаксации импульса $2D$-электронов. Глубина провала $\Delta\rho(0,T)/\rho$ также пропорциональна $\ln(kT/\varepsilon_{0})$ в диапазоне $T=(0.1$–$20)$ K. При температурах ниже $0.1$ K обнаружено насыщение зависимости $\Delta\rho(0,T)/\rho$.