|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, Е. Н. Морозова, Э. В. Девятов, В. Т. Долгополов, “Туннельная аномалия при нулевом смещении в двумерной
электронной системе с беспорядком”, Письма в ЖЭТФ, 96:9 (2012), 646–650   ; I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, E. N. Morozova, È. V. Devyatov, V. T. Dolgopolov, “Zero-bias tunneling anomaly in a two-dimensional electron system with disorder”, JETP Letters, 96:9 (2012), 577–581   |
3
|
|
2005 |
| 2. |
И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя”, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 574–577 ; I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, “Scattering involving LO phonons in tunneling to the 2D electron system of a delta layer”, JETP Letters, 81:9 (2005), 458–461 |
6
|
|
2004 |
| 3. |
Е. М. Дижур, А. Н. Вороновский, А. В. Федоров, И. Н. Котельников, С. Е. Дижур, “Переход приповерхностного $\delta$-слоя туннельной структуры Al/$\delta$(Si)–GaAs в диэлектрическое состояние под давлением”, Письма в ЖЭТФ, 80:6 (2004), 489–492 ; E. M. Dizhur, A. N. Voronovskii, A. V. Fedorov, I. N. Kotel’nikov, S. E. Dizhur, “Transition of the near-surface $\delta$ layer in an Al/$\delta$(Si)–GaAs tunnel structure to the insulating state under pressure”, JETP Letters, 80:6 (2004), 433–435 |
10
|
|
2001 |
| 4. |
А. Я. Шульман, И. Н. Котельников, Н. А. Варванин, Е. Н. Миргородская, “Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы $n$-GaAs/Me”, Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001), 643–648 ; A. Ya. Shul'man, I. N. Kotel’nikov, N. A. Varvanin, E. N. Mirgorodskaya, “Tunneling spectroscopy of the electron exchange-correlation interaction in a Schottky barrier in a quantizing magnetic field: $n$-GaAs/Me junctions”, JETP Letters, 73:10 (2001), 573–578 |
3
|
|
1993 |
| 5. |
В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, “Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования”, Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577 |
|
1992 |
| 6. |
И. Н. Котельников, В. А. Кокин, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. А. Ржанов, С. П. Анохина, “Характеристика и особенности проводимости приповерхностных
$\delta$-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных
электронов”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1462–1470 |
|
1990 |
| 7. |
Н. А. Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордовец, “Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного
электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 635–637 |
|
1989 |
| 8. |
С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, И. Д. Ярошецкий, “Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового
излучения”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 8–10 |
|
1987 |
| 9. |
И. Н. Котельников, Д. К. Чепиков, Е. Г. Чиркова, А. Я. Шульман, “Определение параметров области изгиба зон в переходах
$n$-GaAs/металл по туннельным вольтамперным характеристикам”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1854–1862 |
|
1986 |
| 10. |
И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, “Анализ чувствительности диодов с барьером Шоттки к инфракрасному
излучению”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2199–2209 |
|
1985 |
| 11. |
И. Н. Котельников, И. Л. Бейнихес, А. Я. Шульман, “Туннелирование в переходах металл–полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки. Теория и эксперимент на $n$-GaAs/Au”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 401–415 |
|
Обратная связь: