Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы $n$-GaAs/Me

Изменение с магнитным полем ширины пика аномального сопротивления в области аномалии при нулевом смещении для туннельных переходов $n$-GaAs/Me исследовано в диапазоне полей до $23$ Тл при температурах $4.2$ и $1.5$ К. Полученные кривые не зависят от способа формирования поверхности полупроводниковой подложки (срез легированного монокристалла или эпитаксиально выращенный легированный слой), от сорта легирующей примеси (Te, Si) и металла (Au, Al). Сравнение с вычисленной зависимостью обменного потенциала от магнитного поля для электронов на нижайшем уровне Ландау поддерживает интерпретацию ширины пика аномального сопротивления как меры скачка обменно-корреляционного потенциала на поверхности вырожденного электронного газа. Эти результаты дают объяснение зависимости аномалии при нулевом смещении от магнитного поля и указывают на возможность прямых измерений обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки методом туннельной спектроскопии.