|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335   ; G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, V. S. Varavin, “Formation of acceptor centers in CdHgTe as a result of water and heat treatments”, Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465 |
|
2020 |
| 2. |
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 14–17 ; D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “The effect of the growth temperature on the passivating properties of the Al$_{2}$O$_{3}$ films formed by atomic layer deposition on the CdHgTe surface”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 741–744 |
7
|
|
2016 |
| 3. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
|
2011 |
| 4. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев, “Самопроизвольная модуляция состава при
молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)”, Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011), 348–352 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, A. V. Latyshev, “Spontaneous composition modulation during Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301) molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 94:4 (2011), 324–328   |
5
|
|
2005 |
| 5. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 326–330 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1−x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296 |
4
|
|
1991 |
| 6. |
Е. А. Милохин, С. А. Дворецкий, В. В. Калинин, В. Д. Кузьмин, Ю. Г. Сидоров, И. В. Сабинина, “Фотолюминесценция пленок (111) CdTe, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией на (100) GaAs”, Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1155–1160 |
|
1989 |
| 7. |
С. А. Дворецкий, В. И. Бударных, А. К. Гутаковский, В. Ю. Карасев, Н. А. Киселев, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, С. И. Стенин, “Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$”, Докл. АН СССР, 304:3 (1989), 604–606 |
|
Обратная связь: