|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, С. С. Мирзаи, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 420–425   ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 |
3
|
| 2. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 292–295 ; A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, “Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 493–499 ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, “Investigation into the distribution of built-in electric fields in LED heterostructures with multiple GaN/InGaN quantum wells by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 53:4 (2019), 477–483 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, М. А. Базалевский, П. М. Деев, А. В. Червяков, “Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 708–711 ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, I. P. Kazakov, M. A. Bazalevsky, P. M. Deev, A. V. Chervyakov, “Photoreflectance spectroscopy study of LT-GaAs layers grown on Si and GaAs substrates”, Semiconductors, 52:7 (2018), 849–852 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
Л. П. Авакянц, А. Э. Асланян, П. Ю. Боков, К. Ю. Положенцев, А. В. Червяков, “Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 198–201 ; L. P. Avakyants, A. È. Aslanyan, P. Yu. Bokov, K. Yu. Polozhentsev, A. V. Chervyakov, “Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a $p$–$n$ junction”, Semiconductors, 51:2 (2017), 189–192 |
1
|
| 6. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, “Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 177–181 ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, “Raman scattering in InP doped by Be$^+$-ion implantation”, Semiconductors, 51:2 (2017), 168–172 |
1
|
|
2006 |
| 7. |
С. В. Заботнов, Л. А. Головань, И. А. Остапенко, Ю. В. Рябчиков, А. В. Червяков, В. Ю. Тимошенко, П. К. Кашкаров, В. В. Яковлев, “Фемтосекундное наноструктурирование кремниевых поверхностей”, Письма в ЖЭТФ, 83:2 (2006), 76–79 ; S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, I. A. Ostapenko, Yu. V. Ryabchikov, A. V. Chervyakov, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov, V. V. Yakovlev, “Femtosecond nanostructuring of silicon surfaces”, JETP Letters, 83:2 (2006), 69–71   |
26
|
|
1985 |
| 8. |
Л. П. Авакянц, Д. Ф. Киселев, А. В. Червяков, “Температурная зависимость доменной структуры BiVO$_{4}$”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 231–233 |
|
1983 |
| 9. |
Л. П. Авакянц, Д. Ф. Киселев, А. В. Червяков, “Температурная зависимость показателей преломления BiVO$_{4}$”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2782–2784 |
|
Обратная связь: