Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения

Методом электроотражения проведены исследования неоднородности электрического поля в активной области светодиодной гетероструктуры на основе пяти идентичных квантовых ям GaN/InGaN. Из анализа спектров электроотражения с помощью преобразований Крамерса–Кронига определены энергии межзонных переходов в квантовых ямах и барьерах. Предложена методика оценки напряженности электрического поля в отдельных квантовых ямах активной области по положению спектральных линий. Обнаружено, что при нулевом смещении $p$–$n$-перехода энергии основного перехода в квантовых ямах активной области отличаются на величину порядка 140 мэВ, что соответствует разности напряженностей электрического поля, равной 0.78 МВ/см. Показано, что неоднородность электрического поля в активной области зависит от смещения $p$–$n$-перехода.