|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Л. П. Авакянцa, П. Ю. Боковa, И. П. Казаковb, М. А. Базалевскийb, П. М. Деевa, А. В. Червяковa a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Методом спектроскопии фотоотражения исследованы механические напряжения и плотности зарядовых состояний слоев LT-GaAs (LT – low temperature), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100) и GaAs(100). В спектрах фотоотражения структур Si/LT-GaAs присутствуют линии от фундаментального перехода GaAs $(E_{g})$ в окрестности значения энергии 1.37 эВ, связанные с переходом между дном зоны проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны $(E_{g}+\Delta_{SO})$ при 1.82 эВ. Обнаружено, что линия $E_{g}$ сдвинута в область меньших энергий, а линия $E_{g}+\Delta_{SO}$ – в область больших энергий в сравнении с соответствующими линиями спектров образцов GaAs/LT-GaAs. Сравнительные исследования спектров Si/LT-GaAs и GaAs/LT-GaAs позволили оценить механические напряжения в слоях LT-GaAs, выращенных на Si (по величине сдвига спектральных линий) и плотность зарядовых состояний на гетероинтерфейсе GaAs/Si (по периоду осцилляций Франца–Келдыша).
Поступила в редакцию: 08.06.2017 Принята в печать: 19.06.2017
Образец цитирования:
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, М. А. Базалевский, П. М. Деев, А. В. Червяков, “Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 708–711; Semiconductors, 52:7 (2018), 849–852
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5777 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p708
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 8 |
|