|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be$^{+}$ с энергией 100 кэВ и дозами 10$^{13}$–10$^{15}$ см$^{-2}$, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300–850$^\circ$C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига $>$ 700$^\circ$C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок.
Поступила в редакцию: 28.04.2016 Принята в печать: 12.05.2016
Образец цитирования:
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, “Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 177–181; Semiconductors, 51:2 (2017), 168–172
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6228 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p177
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 | PDF полного текста: | 7 |
|