|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Первопринципное изучение реконструкций поверхности (001) полупроводников GaSb и InSb”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 631–642   ; A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “First-principle investigation of the (001) surface reconstructions of GaSb and InSb semiconductors”, Semiconductors, 54:7 (2020), 742–753 |
2
|
| 2. |
А. А. Фукс, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, А. В. Постников, “Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 3–12 ; A. A. Fuks, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, N. A. Valisheva, A. V. Postnikov, “Effect of oxygen and fluorine absorption on the electronic structure of the InSb(111) surface”, Semiconductors, 54:1 (2020), 1–10 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Адгезия на границе раздела Ta(Mo)/NiTi”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 37–41 ; A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Adhesion at Ta(Mo)/NiTi interface”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 620–624 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
А. М. Латышев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Адсорбция кислорода на низкоиндексных поверхностях сплава Ti$_{3}$Al”, Физика твердого тела, 59:9 (2017), 1828–1842 ; A. M. Latyshev, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Adsorption of oxygen on low-index surfaces of Ti$_{3}$Al alloy”, Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1852–1866 |
9
|
|
2016 |
| 5. |
А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Диффузия галогенов на Ga-стабилизированной $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) поверхности”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1153–1158 ; A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Halogen diffusion on a Ga-stabilized $\zeta$-GaAs(001)–(4 $\times$ 2) surface”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1131–1136 |
| 6. |
А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Адсорбция галогенов на As-стабилизированной $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4) поверхности”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 171–179 ; A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Halogen adsorption at an As-stabilized $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4) surface”, Semiconductors, 50:2 (2016), 171–179 |
5
|
|
2011 |
| 7. |
О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 647–652 ; O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590   |
|
2010 |
| 8. |
О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 511–516 ; O. E. Tereshchenko, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Reconstruction dependence of the etching and passivation of the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470 |
5
|
|
2009 |
| 9. |
О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009), 209–214 ; O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “New Ga-enriched reconstructions on the GaAs(001) surface”, JETP Letters, 89:4 (2009), 185–190 |
3
|
|
1992 |
| 10. |
О. В. Боев, С. Е. Кулькова, “Электронные и позитронные уровни в гексагональном нитриде бора”, Физика твердого тела, 34:7 (1992), 2218–2224 |
|
1991 |
| 11. |
В. Е. Егорушкин, В. В. Кальчихин, С. Е. Кулькова, “Электронная структура мартенситной фазы NiTi”, Физика твердого тела, 33:7 (1991), 2129–2133 |
|
Обратная связь: