Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 9, страницы 511–516 (Mi jetpl711)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)

О. Е. Терещенкоab, С. В. Еремеевcd, А. В. Бакулинc, С. Е. Кульковаdc

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b Новосибирский государственный университет
c Томский государственный университет
d Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН
PDF полного текста (919 kB) Список цитирования (5)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Изучена микроскопическая природа селективного взаимодействия йода с As- и Ga-стабилизированными поверхностями GaAs(001) методом фотоэлектронной эмиссии и расчетами из первых принципов. Адсорбция йода на Ga-стабилизированную поверхность $(4\times2)/c(8\times2)$ приводит к образованию преимущественной химической связи с атомами галлия, значительному перераспределению электронной плотности между поверхностными атомами Ga и As и, как следствие, уменьшению их энергии связи. На As-стабилизированной поверхности $(2\times4)/c(2\times8)$ йод образует связь преимущественно с поверхностным мышьяком. Такое селективное взаимодействие йода с реконструированными поверхностями приводит к травлению Ga-стабилизированной поверхности и пассивации As-стабилизированной поверхности, что объясняет атомно-слоевое (“цифровое”) травление GaAs(001), контролируемое реконструкционными переходами на этой поверхности.
Поступила в редакцию: 25.03.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 91, Issue 9, Pages 466–470
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010090079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 511–516; JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerEreBak10}
\by О.~Е.~Терещенко, С.~В.~Еремеев, А.~В.~Бакулин, С.~Е.~Кулькова
\paper Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 9
\pages 511--516
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl711}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 9
\pages 466--470
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010090079}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000279691400007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77954444430}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl711
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i9/p511
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:394
    PDF полного текста:141
    Список литературы:46
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024