Адсорбция галогенов на As-стабилизированной $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4) поверхности

Методом проекционных присоединенных волн в плосковолновом базисе проведено изучение адсорбции галогенов (F, Cl, Br, I) на As-стабилизированной поверхности GaAs(001) с реконструкцией $\beta$2–GaAs(001)–(2$\times$4). Анализируется влияние галогенов на структурные и электронные характеристики поверхности полупроводника. Показано, что $T'_{2}$-позиция на краю вакансионного ряда энергетически является наиболее предпочтительной для адсорбции F, Cl и Br, тогда как I предпочитает $H_{3}$-позицию между смежными димерами мышьяка третьего от поверхности слоя. Образование связи Ga-галоген предполагает перенос заряда через опустошение занятых орбиталей поверхностных атомов димеров мышьяка, что ведет к ослаблению Ga–As-связей в подложке. Проведены оценки ослабления связей между поверхностными атомами подложки вследствие взаимодействия галогенов с поверхностью.