Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 89, выпуск 4, страницы 209–214 (Mi jetpl364)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)

О. Е. Терещенкоab, К. В. Торопецкийba, С. В. Еремеевcd, С. Е. Кульковаcd

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b Новосибирский государственный университет
c Томский государственный университет
d Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН
PDF полного текста (1812 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Поверхности GaAs(001), покрытые собственными оксидами, экспонировались в потоке атомарного водорода в температурном интервале 280–450 $^\circ$C с целью низкотемпературного приготовления структурно упорядоченных поверхностей GaAs(001). Приготовлены новые Ga-обогащенные поверхности GaAs(001) с реконструкциями (4$\times$4) и (2$\times$4)/c(2$\times$8), которые были изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции медленных электронов и спектроскопии характеристических потерь энергий электронов высокого разрешения. Для поверхности GaAs(001)–(2$\times$4) предложена и рассчитана из первых принципов структура Ga-стабилизированной поверхности в модели элементарной ячейки (2$\times$4) Ga-тример.
Поступила в редакцию: 25.12.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, Volume 89, Issue 4, Pages 185–190
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364009040055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.05.Jh, 67.63.Gh, 68.47.Fg, 81.05.Ea
Образец цитирования: О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 89:4 (2009), 209–214; JETP Letters, 89:4 (2009), 185–190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerTorEre09}
\by О.~Е.~Терещенко, К.~В.~Торопецкий, С.~В.~Еремеев, С.~Е.~Кулькова
\paper Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2009
\vol 89
\issue 4
\pages 209--214
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl364}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 89
\issue 4
\pages 185--190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364009040055}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000265732500005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-65449136776}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl364
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v89/i4/p209
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:252
    PDF полного текста:112
    Список литературы:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024