Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 3–12
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48760.9063
(Mi phts5291)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)

А. А. Фуксa, А. В. Бакулинab, С. Е. Кульковаab, Н. А. Валишеваc, А. В. Постниковd

a Национальный исследовательский Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Лотарингский университет, Мец, Франция
Аннотация: Методом проекционных присоединенных волн изучена энергетика связи кислорода и фтора на поверхности InSb(111) в зависимости от ее окончания. Показано, что на поверхности с индиевым окончанием адсорбция фтора в зависимости от его концентрации приводит к частичному или полному удалению из запрещенной щели поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией кислорода. Проникновение обоих адсорбатов в подповерхностные слои приводит к разрушению In–Sb-связей и формированию химических связей фтора и кислорода с приповерхностными атомами подложки, что является начальным этапом образования фторсодержащего анодного оксидного слоя. В случае поверхности InSb(111), оканчивающейся сурьмой, адсорбция кислорода способствует понижению плотности поверхностных состояний в запрещенной щели. Обсуждаются общие тенденции в изменении электронной структуры поверхности (111) при коадсорбции фтора и кислорода в ряду A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ полупроводников.
Ключевые слова: A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, поверхность (111), адсорбция, электронная структура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 23.2.8
Программа повышения конкурентоспособности ТГУ
Работа выполнена в рамках проекта 23.2.8 ИФПМ СО РАН и программы повышения конкурентоспособности ТГУ. Численные расчеты выполнены на суперкомпьютере SKIF-Cyberia в Томском государственном университете.
Поступила в редакцию: 14.01.2019
Исправленный вариант: 03.04.2019
Принята в печать: 13.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 1–10
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262001008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Фукс, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Н. А. Валишева, А. В. Постников, “Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 3–12; Semiconductors, 54:1 (2020), 1–10
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FukBakKul20}
\by А.~А.~Фукс, А.~В.~Бакулин, С.~Е.~Кулькова, Н.~А.~Валишева, А.~В.~Постников
\paper Влияние адсорбции кислорода и фтора на электронную структуру поверхности InSb(111)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 3--12
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5291}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48760.9063}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571054}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 1--10
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262001008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5291
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p3
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024