|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
И. С. Молодцов, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. Б. Крыса, И. И. Засавицкий, “Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами “связанное состояние – квазиконтинуум”, работающий при температуре до 371 K”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 710–713 [I. S. Molodtsov, N. A. Raspopov, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. B. Krysa, I. I. Zasavitskii, “Quantum cascade laser with bound-to-quasi-continuum optical transitions at a temperature of up to 371 K”, Quantum Electron., 50:8 (2020), 710–713 ] |
2
|
|
2018 |
2. |
К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1486–1490 ; K. V. Marem'yanin, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, V. V. Rumyantsev, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on a PbSnSe solid solution with an emission wavelength up to 50 $\mu$m and their application in the magnetospectroscopy of semiconductors”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1590–1594 |
16
|
3. |
И. И. Засавицкий, Н. Ю. Ковбаса, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, Ю. В. Курнявко, П. В. Горлачук, А. Б. Крыса, Д. Г. Ревин, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:5 (2018), 472–475 [I. I. Zasavitskii, N. Yu. Kovbasa, N. A. Raspopov, A. V. Lobintsov, Yu. V. Kurnyavko, P. V. Gorlachuk, A. B. Krysa, D. G. Revin, “A GaInAs/AlInAs quantum cascade laser with an emission wavelength of 5.6 μm”, Quantum Electron., 48:5 (2018), 472–475 ] |
4
|
|
2016 |
4. |
К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1697–1700 ; K. V. Marem'yanin, V. V. Rumyantsev, A. V. Ikonnikov, L. S. Bovkun, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, V. I. Gavrilenko, “Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1669–1672 |
7
|
5. |
Д. А. Пашкеев, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, “Твердый раствор Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4–5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 229–235 ; D. A. Pashkeev, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, I. I. Zasavitskii, “Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) as materials for vertical-cavity surface-emitting lasers in the mid-infrared spectral range of 4–5 $\mu$m”, Semiconductors, 50:2 (2016), 228–234 |
1
|
6. |
И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 447–450 [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450 ] |
4
|
|
2013 |
7. |
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, Е. В. Бушуев, Г. Т. Микаелян, “Уширение и расщепление спектров излучения квантового каскадного лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле”, Квантовая электроника, 43:2 (2013), 144–146 [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, E. V. Bushuev, G. T. Mikayelyan, “Broadening and splitting of emission spectra of a GaInAs/AlInAs quantum cascade laser in a quantising magnetic field”, Quantum Electron., 43:2 (2013), 144–146 ] |
|
2012 |
8. |
И. И. Засавицкий, “Схемы активной области в квантовых каскадных лазерах”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 863–873 [I. I. Zasavitskii, “Active-region designs in quantum cascade lasers”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 863–873 ] |
4
|
|
2010 |
9. |
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010), 95–97 [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97 ] |
8
|
|
2008 |
10. |
И. И. Засавицкий, А. В. Мазурин, Ю. Г. Селиванов, Г. Цогг, А. В. Юрушкин, “Излучательные переходы на локализованные состояния Eu в твердом растворе Pb${}_{1-x}$Eu${}_x$Te”, Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008), 584–587 ; I. I. Zasavitskii, A. V. Mazurin, Yu. G. Selivanov, H. Zogg, A. V. Yurushkin, “Radiative transitions to localized Eu states in Pb<sub>1−x</sub>Eu<sub>x</sub>Te solid solutions”, JETP Letters, 87:9 (2008), 498–501 |
5
|
|
2002 |
11. |
И. И. Засавицкий, Е. В. Бушуев, Э. А. де Андрада-и-Силва, Э. Абрамов, “Энергетический спектр квантовых ям в структурах типа PbTe/PbEuTe из данных по фотолюминесценции”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 676–679 ; I. I. Zasavitskii, E. V. Bushuev, E. A. de Andrada e Silva, E. Abramof, “Energy spectrum of quantum wells in PbTe/PbEuTe-based structures from photoluminescence data”, JETP Letters, 75:11 (2002), 559–562 |
5
|
|
1992 |
12. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур
PbTe/Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te, выращенных на подложках BaF$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2031–2039 |
|
1991 |
13. |
М. В. Валейко, К. И. Гейман, И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, “Деформационные потенциалы PbTe”, Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1086–1093 |
|
1990 |
14. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, З. А. Рухадзе, А. В. Ширков, “Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе
PbSe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1437–1443 |
|
1989 |
15. |
И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных
слоях Pb$_{1-x}$Sn$_{x}\text{Te}\langle\text{In}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2019–2026 |
16. |
В. Ф. Банарь, Д. В. Гицу, И. И. Засавицкий, Г. В. Флусов, “Инжекционные лазеры на основе нитевидных кристаллов PbTe”, Квантовая электроника, 16:4 (1989), 675–678 [V. F. Banar', D. V. Gitsu, I. I. Zasavitskii, G. V. Flusov, “Injection Lasers made of PbTe whisker crystals”, Sov J Quantum Electron, 19:4 (1989), 441–442 ] |
|
1988 |
17. |
И. И. Засавицкий, А. В. Сазонов, “Спиновое расщепление в полумагнитных полупроводниках типа A$^{4}$B$^{6}$”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1669–1674 |
18. |
И. И. Засавицкий, Л. Ковальчик, Б. Н. Мацонашвили, А. В. Сазонов, “Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа
A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2118–2123 |
19. |
И. М. Гродненский, Т. Н. Пинскер, К. В. Старостин, И. И. Засавицкий, “Отрицательная фотопроводимость и исследование границы раздела
в гетеропереходах GaAs$-$AlGaAs с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1223–1229 |
20. |
Ю. А. Курицын, В. Р. Мироненко, И. Пак, Е. П. Снегирев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Внутрирезонаторное детектирование поглощения с помощью перестраиваемого полупроводникового лазера среднего ИК диапазона”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 582–589 [Yu. A. Kuritsyn, V. R. Mironenko, I. Pak, E. P. Snegirev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Intracavity detection of absorption with the aid of a tunable semiconductor laser emitting in the middle infrared range”, Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 371–376 ] |
1
|
|
1987 |
21. |
Г. С. Баронов, Д. К. Бронников, А. Е. Варфоломеев, И. И. Засавицкий, В. Д. Русанов, А. А. Фридман, А. П. Шотов, “Эффект сверхравновесного заселения возбужденных состояний вырожденных колебательных мод $\mathrm{CO}_2$ в условиях колебательно-поступательной неравновесности”, Докл. АН СССР, 297:5 (1987), 1100–1103 |
22. |
С. С. Алимпиев, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. И. Надеждинский, С. М. Никифоров, Г. Л. Одабашян, А. М. Омельянчук, Е. В. Степанов, А. И. Ушаков, А. Н. Хуснутдинов, А. П. Шотов, “Измерение поступательной температуры неравновесно возбужденного газа
методами диодной лазерной спектроскопии”, ЖТФ, 57:6 (1987), 1167–1170 |
23. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Бесфоновый спектр поглощения
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ и зависимость фотопроводимости
эпитаксиальных слоев от толщины”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1789–1795 |
24. |
Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, И. И. Засавицкий, К. В. Старостин, В. Г. Мокеров, “Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах
с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1522–1524 |
25. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, Д. А. Саксеев, “Фотолюминесценция квантово-размерных напряженных эпитаксиальных слоев
и структур на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 57–62 |
|
1986 |
26. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Спектр фотопроводимости эпитаксиальных слоев
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 214–220 |
|
1985 |
27. |
И. И. Засавицкий, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbS$_{1-x}$Se$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant1}$)”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2149–2153 |
28. |
И. И. Засавицкий, К. Лишка, Х. Хайнрих, “О ян-теллеровском центре в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1058–1063 |
29. |
М. В. Валейко, И. И. Засавицкий, В. Л. Кузнецов, А. В. Курганский, Б. Н. Мацонашвили, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора
PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant 1}$)”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 627–631 |
30. |
Г. Г. Девятых, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, Г. А. Максимов, А. И. Надеждинский, А. М. Прохоров, А. Ю. Хомутов, Е. В. Степанов, А. Ю. Тищенко, А. П. Шотов, С. М. Шапин, “Применение спектрометра на диодных лазерах для определения содержания $B\,Cl_3$ в $Ge\,Cl_4$”, Письма в ЖТФ, 11:10 (1985), 595–599 |
31. |
А. И. Надеждинский, Е. В. Степанов, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. П. Шотов, “Измерение параметров частотных флуктуаций диодного импульсно-периодического лазера”, Квантовая электроника, 12:2 (1985), 385–387 [A. I. Nadezhdinskii, E. V. Stepanov, I. I. Zasavitskii, Yu. V. Kosichkin, A. P. Shotov, “Determination of the parameters of frequency fluctuations of a pulse-periodic diode laser”, Sov J Quantum Electron, 15:2 (1985), 250–251 ] |
|
1984 |
32. |
И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, П. В. Крюков, А. И. Надеждинский, А. М. Прохоров, Е. В. Степанов, А. Ю. Тищенко, А. П. Шотов, “Применение диодных лазеров среднего ИК диапазона в спектральном
газоанализе”, ЖТФ, 54:8 (1984), 1542–1551 |
33. |
И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. И. Надеждинский, Е. В. Степанов, А. Ю. Тищенко, А. П. Шотов, “Исследование уширения линий поглощения молекулярных газов методами импульсной диодной лазерной спектроскопии”, Квантовая электроника, 11:12 (1984), 2443–2451 [I. I. Zasavitskii, Yu. V. Kosichkin, A. I. Nadezhdinskii, E. V. Stepanov, A. Yu. Tishchenko, A. P. Shotov, “Investigation of the broadening of absorption lines of molecular gases by methods of pulsed laser diode spectroscopy”, Sov J Quantum Electron, 14:12 (1984), 1615–1620 ] |
4
|
34. |
В. Л. Бойченко, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. П. Тарасевич, В. Г. Тункин, А. П. Шотов, “Пикосекундный параметрический генератор света с усилением излучения перестраиваемого полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 11:1 (1984), 203–205 [V. L. Boǐchenko, I. I. Zasavitskii, Yu. V. Kosichkin, A. P. Tarasevitch, V. G. Tunkin, A. P. Shotov, “Picosecond parametric oscillator amplifying radiation from a tunable semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 14:1 (1984), 141–142 ] |
5
|
|
1983 |
35. |
И. И. Засавицкий, А. В. Матвеенко, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов, “Кинетика фотопроводимости в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2184–2189 |
36. |
И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, Ю. И. Мазур, А. И. Надеждинский, Ю. А. Поляков, А. М. Широков, “Влияние гидростатического давления на спектры примесной
фотопроводимости в теллуре”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 69–72 |
37. |
И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, П. В. Крюков, А. И. Надеждинский, А. Н. Перов, З. Рааб, Е. В. Степанов, А. П. Шотов, “Диодный лазер среднего ИК диапазона с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 10:2 (1983), 445–447 [I. I. Zasavitskii, Yu. V. Kosichkin, P. V. Kryukov, A. I. Nadezhdinskii, A. N. Perov, S. Raab, E. V. Stepanov, A. P. Shotov, “External-cavity diode laser emitting in the middle infrared range”, Sov J Quantum Electron, 13:2 (1983), 256–257 ] |
|
1982 |
38. |
В. И. Астахов, В. В. Галактионов, И. И. Засавицкий, Ю. В. Косичкин, А. И. Надеждинский, А. Н. Перов, А. Ю. Тищенко, В. Т. Трофимов, В. У. Хаттатов, А. П. Шотов, “Трассовый измеритель концентрации окиси углерода в атмосфере на основе импульсных диодных лазеров”, Квантовая электроника, 9:3 (1982), 531–536 [V. I. Astakhov, V. V. Galaktionov, I. I. Zasavitskii, Yu. V. Kosichkin, A. I. Nadezhdinskii, A. N. Perov, A. Yu. Tishchenko, V. T. Trofimov, V. U. Khattatov, A. P. Shotov, “Pulsed laser diode device for measuring the concentration of carbon monoxide in the atmosphere over a long path”, Sov J Quantum Electron, 12:3 (1982), 315–318 ] |
1
|
|
1980 |
39. |
С. С. Алимпиев, И. И. Засавицкий, Н. В. Карлов, Ю. В. Косичкин, П. В. Крюков, Ш. Ш. Набиев, А. И. Надеждинский, Б. Г. Сартаков, А. П. Шотов, “Лазерная спектроскопия составного колебания $\nu_2+\nu_4$ молекулы $CF_4$ и перестроечные кривые $CF_4$-лазера”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1885–1894 [S. S. Alimpiev, I. I. Zasavitskii, N. V. Karlov, Yu. V. Kosichkin, P. V. Kryukov, Sh. Sh. Nabiev, A. I. Nadezhdinskii, B. G. Sartakov, A. P. Shotov, “Laser spectroscopy of the $\nu_2+\nu_4$ combination vibration of the $CF_4$ molecule and $CF_4$ laser tuning curves”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1087–1092 ] |
2
|
40. |
М. В. Глушков, Ю. В. Косичкин, А. И. Надеждинский, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, Г. А. Герасимов, В. В. Фомин, “Колебательно-вращательные спектры полосы $\nu_3$ газа ${}^{192}OsO_4$, полученные с помощью диодного лазера”, Квантовая электроника, 7:4 (1980), 908–911 [M. V. Glushkov, Yu. V. Kosichkin, A. I. Nadezhdinskii, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, G. A. Gerasimov, V. V. Fomin, “Vibrational-rotational spectra of the $\nu_3$ band of ${}^{192}OsO_4$ gas obtained using a diode laser”, Sov J Quantum Electron, 10:4 (1980), 521–523 ] |
2
|
|
1978 |
41. |
Д. М. Гуреев, О. И. Даварашвили, И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, А. П. Шотов, “Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ с согласованными решетками на гетерогранице”, Квантовая электроника, 5:12 (1978), 2630–2633 [D. M. Gureev, O. I. Davarashvili, I. I. Zasavitskii, B. N. Matsonashvili, A. P. Shotov, “Optically pumped Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ heterojunction lasers with matched gratings at the interface”, Sov J Quantum Electron, 8:12 (1978), 1481–1483] |
42. |
И. И. Засавицкий, Е. Г. Чижевский, А. П. Шотов, “Перестраиваемый давлением инжекционный лазер непрерывного действия на основе PbSe”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 692–694 [I. I. Zasavitskii, E. G. Chizhevskii, A. P. Shotov, “Pressure-tunable cw PbSe injection laser”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 408–409] |
|
1977 |
43. |
О. И. Даварашвили, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Многокомпонентные твердые растворы соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>”, Квантовая электроника, 4:4 (1977), 904–907 [O. I. Davarashvili, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Multicomponent solid solutions of IV-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 7:4 (1977), 508–510] |
2
|
|
|
|
1987 |
44. |
А. В. Демьяненко, И. И. Засавицкий, В. Н. Очкин, С. Ю. Савинов, Н. Н. Соболев, М. В. Спиридонов, А. П. Шотов, “Исследование распределения молекул CO$_2$ по колебательно-вращательным уровням в тлеющем разряде методом импульсной диодной лазерной спектроскопии”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 851–859 [A. V. Dem'yanenko, I. I. Zasavitskii, V. N. Ochkin, S. Yu. Savinov, N. N. Sobolev, M. V. Spiridonov, A. P. Shotov, “Investigation of the distribution of CO$_2$ molecules between vibrational–rotational levels in a glow discharge by the method of pulsed diode laser spectroscopy”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 536–541 ] |
8
|
|