Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1697–1700 (Mi phts6296)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм

К. В. Маремьянинab, В. В. Румянцевba, А. В. Иконниковba, Л. С. Бовкунb, Е. Г. Чижевскийc, И. И. Засавицкийc, В. И. Гавриленкоab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: На основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se созданы диффузионные инжекционные лазеры, излучающие в зависимости от состава и температуры в широкой области спектра 10–46.5 мкм. Разработана технология выращивания качественных монокристаллов из паровой фазы в условиях свободного роста. Исследованы зависимости интегральной интенсивности излучения от тока накачки и спектры излучения инжекционных лазеров на основе Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se. В данных образцах получена лазерная генерация длинноволнового излучения вплоть до рекордной длины волны 46.5 мкм.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1669–1672
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616120125
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1697–1700; Semiconductors, 50:12 (2016), 1669–1672
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarRumIko16}
\by К.~В.~Маремьянин, В.~В.~Румянцев, А.~В.~Иконников, Л.~С.~Бовкун, Е.~Г.~Чижевский, И.~И.~Засавицкий, В.~И.~Гавриленко
\paper Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1697--1700
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6296}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369076}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1669--1672
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616120125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6296
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1697
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024