Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1486–1490
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46762.42 (Mi phts5665) 		 
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

К. В. Маремьянинa, А. В. Иконниковb, Л. С. Бовкунa, В. В. Румянцевa, Е. Г. Чижевскийc, И. И. Засавицкийc, В. И. Гавриленкоa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (465 kB) Список цитирования (16)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46762.42
Аннотация: На основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se созданы и исследованы длинноволновые диффузионные инжекционные лазеры, излучающие вплоть до рекордно большой длины волны 50.4 мкм. Монокристаллы Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se выращивались из паровой фазы в условиях свободного роста. На примере узкозонного полупроводника HgCdTe и гетероструктуры с квантовой ямой показана возможность использования разработанных лазеров для спектроскопии твердого тела.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-05470
18-02-00309
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 9
Работа выполнена с использованием оборудования УСУ “Фемтоспектр” ЦКП ИФМ РАН при поддержке РФФИ (гранты № 15-02-05470, 18-02-00309) и программы Президиума РАН № 9 “Терагерцовая оптоэлектроника и спинтроника”.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1590–1594
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120163
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Маремьянин, А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, Е. Г. Чижевский, И. И. Засавицкий, В. И. Гавриленко, “Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1486–1490; Semiconductors, 52:12 (2018), 1590–1594
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarIkoBov18}
\by К.~В.~Маремьянин, А.~В.~Иконников, Л.~С.~Бовкун, В.~В.~Румянцев, Е.~Г.~Чижевский, И.~И.~Засавицкий, В.~И.~Гавриленко
\paper Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1486--1490
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5665}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46762.42}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903639}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1590--1594
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120163}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5665
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1486
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024